《单片机原理及应用》第7章 磁电式 传感器课件.pptVIP

1、掌握霍尔效应、磁电感应式传感器、霍尔传感器的工作原理。 2、熟悉霍尔器件主要参数、电磁特性、类型、测量电路与连接方式。 3、了解各种磁电式传感器的结构及应用。 本章要求： 7.1 磁电感应式传感器 一、工作原理： 根据法拉第电磁感应定律，N匝线圈在磁场中切割磁力线运动或穿过线圈的磁通量变化 时线圈中产生的感应电动势e为： 二、磁电感应式传感器的结构与要求： 1、结构：磁路系统，线圈；如图7—1所示。 2、基本要求： （1）工作气隙 工作气隙大，线圈窗口面积就大，线圈匝数就多，传感器的灵敏度就高。 但气隙大，磁路系统的磁感应强度就低，传感器灵敏度也越低，而且气隙大易造成气隙磁场分布不均匀，导致传感器输出特性非线性。 为了使传感器具有较高的灵敏度和较好的线性度，必须保证足够大的窗口面积所需加工安装精度的前提下，尽量减小工作气隙d。 工作气隙宽度ld也与传感器的灵敏度、线性度有关。越大，灵敏度越高，线性度越好，但传感器体积和重量就较大，因此，一般取 d/ld≈1/4 。 （2）磁路系统：选用永久磁铁，减小传感器体积。 永久磁铁有以下几个参数：矫顽磁力Hc ，剩余磁感应强度Br ，最大磁能积（BH）m ，磁化曲线B=f（H），磁能积曲线（BH）= f（B），常用材料为铝镍钴永磁合金，其Hc和Br都较大，稳定性高，使用最广泛； （3）线圈组件：由线圈和骨架组成。骨架由金属材料制成，起到与磁场发生相对运动时产生电磁阻尼作用。但非线性误差增加，可改用非金属（有机玻璃）骨架。有时为减小尺寸，也可不用线圈骨架； （4）为补偿温度误差及线圈感应电流的磁场效应，设计时应使工作线圈的感应电流足够小。 7.2、霍尔传感器 一、霍尔（Hall）效应： 置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势的现象，称为霍尔效应。 二、工作原理： 如图7—2示，将一块N型半导体材料置于磁场B中，当它通过电流l时，半导体中的自由电荷（电子）受到磁场中洛仑兹力FL的作用，其大小为 FL=-q0VB 式中 V—电子速度， q0— 电电荷， B— 垂直于霍尔元 件表面的磁感应强度。 2、霍尔器件的材料选择： 常用材料：锗、硅、砷化镓、砷化铟、锑化铟等半导体材料。 锑化铟霍尔器件：灵敏度最高。但受温度影响较大； 锗霍尔器件：灵敏度最低，但其温度特性及线性度较好； 砷化镓霍尔器件：霍尔系数RH大，电子迁移率高，禁带宽度大，且温度稳定性好，霍尔电压稳定系数βH可达0.005%/℃ N（Si）的工作温度范围较宽，一般为-100------+170℃ ， N（Ge）易加工制造，综合性能较好。 （2）、UH—B特性：在控制电流IC和环境温度恒定下，霍尔器件开路输出电压与磁场强度B之间关系不完全呈线性关系。 由图（6—3）知： 当B0.5Wb/m2时， 曲线呈线性关系； 当B0.5Wb/m2时 线性度差；其原因 是磁场增加，使霍 尔输出下降。另外 还知：锑化铟的线 性度很差，硅的线 性度最好，锗次之。 5、霍尔器件类型 分立型： （1）、单晶霍尔器件—锗(Ge) 、硅（Si）、砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb） （2）、簿膜霍尔器件—锑化铟（InSb）簿膜 集成型： （1）、线性霍尔集成传感器 （2）、开关霍尔集成传感器。 6、霍尔器件的连接方式和输出电路 （1）、基本电路：如图7—5所示。 控制电流I的大小，由电位器RW调节。输出端接负载电阻RL（放大器或测量仪表内阻）。其输出电压UH，分别正比于IB或I或B ①直流供电—控制电流端并联，其输出电压为单片的两倍； ②交流供电—控制电流端串联，各元件输出端接输出变压器T的 初级线圈；变压 器次级线圈两 端便有霍尔电压 叠加值输出。 C、感应零电势Uio。没有控制电流时，在交流或脉动磁场作用下产生的电势。消除方法有自身补偿法和外加补偿法。 D、自激零电势。霍尔元件控制电流产生的磁场称为自激磁场。如果元件左右两半磁场相等，则自激零电势会互相抵消。 （2）、温度误差。补偿方法：一是在输出回路并联电阻，二是在输入回路串联电阻。 可以用于下述三个方面； （1）当控制电流不变时，使传感器处于非均匀磁场中，传感器的输出正比于磁感应强度。因此，对能转换为磁感应强度变化的量都能进行测量，例如可以对磁场、位移、角度、转速、加速度等量进行测量。 （2）磁场不变时，传感器输出值正比于控制电流值，因此，凡能转换为电流变化的各种量，均