交大模拟电路课件18.pptVIP

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构和类型 s g d P+ N P+ SiO2 保护层 N沟道JFET结构示意图 N P+ P+ 形成SiO2保护层 以N型半导体作衬底 上下各引出一个电极 左右各引出一个电极 两边个引出一个电极 两边个引出一个电极 两边扩散两个高浓度的P型区 漏极d（drain) 源极s（source) 栅极g（gate) N P+ P+ N型导电沟道 符号 称为N沟道JFET 符号 P沟道JFET结构示意图 P N+ N+ P型导电沟道 s g d N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 结型场效应管分 3.1.2 结型场效应管的工作原理 电路图 G D S 1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 a．当uGS=0时 N P+ P+ N型导电沟道 s d =0 沟道无变化 g b．UGS(off)uGS0 N P+ P+ N型导电沟道 s d =0 P+ – + (a) PN结加宽 (b) PN结主要向N区扩展 (c) 导电沟道变窄 (c) 导电沟道电阻增大 g N P+ P+ N型导电沟道 s d =0 P+ P+ (a) PN结合拢 (b) 导电沟道夹断 c． 0 uGS=UGS(off) UGS(off)—— 栅源截止电压或夹断电压 – + g 当uDS=0时，uGS对沟道