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7.2 场效应管 1、类型与电极的检测 判断:用万用表的RX100档,测量场效应管任意两极之间的电阻,正反各测一次 若两次测得阻值相同或相近,则这两极是D、S极,剩下的极为栅极,然后红表笔不动,黑表笔接已判断出来的G极。 如果阻值很大,此测得为PN结的反向电阻,黑表笔接的应为N,红表笔接的应为P,所以该管子为P沟道场效应管; 如果阻值测得很小,则为N沟道场效应管。 若两次测得的阻值一大一小,则以阻值小的那次为准,红表笔不动,黑表笔接另一个极 如果阻值仍小,并且与黑表笔换极前测得的阻值相等或相近,则红表笔接的为栅极,该管子为N沟道场效应管; 如果测得的阻值与黑表笔换极前测得的阻值有较大的差距,则黑表笔换极前接的极为栅极,该管子为P沟道场效应管。 7.2 场效应管 三、检测 2、放大能力的检测 万用表拨RX100Ω档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,由于测量阻值时万用表内接1.5V电池,则相当于给场效应管D、S极加上一个正向电压,然后用手接触栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上,由于场效应管的放大作用,表针会摆动(ID电流变化引起的),表针摆动幅度越大,场效应管放大能力越大,如果表针不动,说明场效应管已经损坏。 场效应管的检测 7.2 场效应管 三、检测 3、好坏检测 包括漏源极之间的正反向电阻、栅漏极之间的正反向电阻和栅源极之间的正反向电阻,检测共有六步,只有每步检测都通过才能确定场效应管是正常的。 测漏源极之间的正反向电阻时,万用表置于RX10Ω或RX100Ω档,测量漏源之间的正反向电阻,正常阻值相等或相近,且在几十至几千欧,若超出这个阻值范围,则可能是漏源之间短路、开路或性能不良。 测栅漏极之间或栅源极之间的正反向电阻时,万用表置于RX1KΩ档,测量时正向电阻小,反向电阻无穷大或接近无穷大。若不符合,则可能是栅漏极或栅源极之间短路、开路或性能不良。 7.2 场效应管 四、种类 除了前面介绍的结型场效应管(JFET)外,常见案的还有绝缘栅型场效应管,又称MOS管,MOS管又分为耗尽型和增强型,每种类型又分为P沟道和N沟道。 7.2 场效应管 五、场效应管型号命名方法 有两种命名方法: 与三极管相同 第一位“3”表示电极数 第二位字母代表材料 “D”是P型硅N沟道 “C”是N型硅P沟道 第三位字母“J”代表结型场效应管,“O”代表绝缘栅场效应管 第四位用数字表示同一类型产品的序号 第五位用字母表示规格号 例如:3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 命名方法为CSXX#。 CS代表场效应管 XX以数字代表型号的序号 #用字母代表同一型号中的不同规格 例如:CS14A、CS45G等 7.1 晶闸管 7.2 场效应管 第七章 晶闸管与场效应管 晶闸管、场效应管与三级管相似,都有三个电极。 晶闸管主要当做可控电子开关使用。 场效应管主要用来放大信号电压,而三极管主要是放大信号电流 7.1 晶闸管 晶闸管又称可控硅,是一个P1N1P2N2四层,具有3个PN结,并引出3个电极的半导体开关器件。它的三个电极,分别是阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。 7.1 晶闸管 晶闸管又称可控硅,是一个P1N1P2N2四层,具有3个PN结,并引出3个电极的半导体开关器件。它的三个电极,分别是阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。 内部结构: 7.1 晶闸管 一、晶闸管性质 1、导通晶闸管: 无论A、K极之间加什么电压,只要G、K极之间没有加正向电压,晶闸管就无法导通。 只有A、K极之间加正向电压,并且G、K极之间也加一定的正向电压,晶闸管才能导通。 给晶闸管G极提供电压,让IG电流流入G极,晶闸管A、K极之间马上导通,这种现象称为晶闸管的触发导通。 晶闸管导通后,撤掉G、K极之间的正向电压后晶闸管仍继续导通。 2、关闭晶闸管: 让流入晶闸管A极的电流减小到某一值IH(维持电流) 让A、K极之间的正向电压UAK减小到0或加反向电压 实验演示 P1N1P2 N1P2N2 Ic1 Ib2 Ic2 Ib1 IG IA IK 加上Ig→Ib2↑→ Ic2↑→ Ib1↑→ Ic1↑ 7.1 晶闸管 二、晶闸管主要参数 7.1 晶闸管 三、晶闸管的检测 包括极性检测、好坏检测、触发能力检测 1、极性检测 7.1 晶闸管 三、晶闸管的检测 包括极性检测、好坏检测、触发能力检测 2、好坏检测 7.1 晶闸管 三、晶闸管的检测 包括极性检测、好坏检测、触发能力检测 3、触发能力检测 7.1 晶闸管 四、晶闸管的种类 7.1 晶闸管 四、晶闸管的种类 1、双向晶闸管 双向晶闸管是由N-P-N-P-N
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