光电功能材料及应用重(草稿).pptxVIP

2.1 导电材料导电材料的分类：电子导电材料：起源于电子的运动离子导电材料：起源于离子的运动电导率：材料电导率 /Ω-1·cm-1典 型 代 表绝缘体＜10-7石英、聚乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯半导体10-7～104硅、锗、聚乙炔导 体105 ～108汞、银、铜、石墨超导体＞108铌(9.2 K)、铌铝锗合金(23.3K)、聚氮硫(0.26 K)2.1 导电材料能带理论能级在孤立原子中，原子核外的电子具有分立的能量值，或者说电子的能量只能允许有一系列离散的值。电子的（也即原子的）能量被量子化。每一个能量取值叫做一个能级。2.1 导电材料允许带（允带） ：允许被电子占据的能带称为允许带，原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。满带：被电子占满的允许带称为满带。空带：每一个能级上都没有电子的能带称为空带。2.1 导电材料价带： 原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。导带： 价带以上能量最低的允许带称为导带。禁带： 允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。1.1.2 离子导电材料无机非金属导电机制： 电子导电：载流子是电子或电子空穴； 离子导电：载流子是离子或离子空位。离子电导机理： 离子晶体的导电机理 本征导电 杂质导电 玻璃的导电机理1.1.2 导电高分子材料导电高分子是指电导率在半导体和导体范围内的高分子材料，也是指其本身或经过“掺杂”后具有导电性的一类高分子材料。 导电高分子材料与金属相比，具有重量轻，易成型，电阻率可调节等诸多优点，早已引起人们的普遍关注，目前，复合型导电高分子材料已经在很多领域发挥重要作用。结构型导电高分子导电高分子材料复合型导电高分子超导高分子材料能带理论回顾各原子间的相互作用? 原来孤立原子的能级发生分裂若有N个原子组成一体，对于原来孤立原子的一个能级，就分裂成 N条靠得很近的能级，称为能带（energy band）。能带的宽度记作 ?E ?E ～eV 的量级 若N~1023，则能带中两相邻能级的间距约为10-23eV。导电机理：半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可以按照电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是导电的载流子。激发既可以是热激发，也可以是半导体中非热激发，通过激发，半导体产生载流子，从而导电。半导体种类元素半导体：本征，掺杂按成分化合物半导体：合金，化合物，陶瓷，有机高分子本征半导体 ( 10-9)按杂质含量掺杂半导体(n, p)( 10-9)二. 杂质（impurity）半导体1. n型半导体本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四个原子形成共价结合，当掺入少量五价的杂质就形成了电子型半导体，元素（如P、As等）时，又称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处， ?ED～10-2eV，极易形成电子导电。2. p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、In等）时，就形成空穴型半导体，又称 p 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴能级在禁带中紧靠满带处，? EA 10 -1eV，极易产生空穴导电。氮化镓GaN第一代电子材料：Si, Ge第二代电子材料：III-V族化合物GaAs, GaP, InP第三代电子材料：SiC, BN, GaN, AlN, ZnSe, 金刚石等宽带半导体。物理特性纤锌矿结构(六方)，能隙3.4eV, 用途蓝色与紫外LEDLDp -n 结一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，该区就成为p型半导体(补偿作用)。电子和空穴的扩散，p型n型在p型和n型半导体交界面附近产生了一个内建（电）场阻止电子和空穴进一步扩散。p型n型 内建场大到一定程度，不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。 p-n结 在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1?m。超导定义 某些物质当冷却到临界温度以下时，同时产生零电阻率和排斥磁场的能力，这种现象被称为超导电性，该类材料称为超导体或超导材料。电力设备采用该类材料后，可以具有传统设备根本无法达到的技术及经济效益；有利于设备的小型化、轻量化及高效化；能抑制大电网的短路电流；可解决远距离、大容量输电的稳定性问题；能提高高密度输电的可靠性等等。 Hg的同位素效应一、超导特性 1、完全导电性 临界温度 TC，是物质常数，同一种材料在相同条件下，TC有严格的确定值。 汞的电阻与温度关系超导态正常态2、完全抗磁性（反磁性） 在超