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PIN二极管设计报告 姓名： 吴鹏远 学号： 1300404126 专业：微电子科学与工程 中国计量学院 2016年3月2日 器件工作原理 ① 半导体的载流子输运特性，P型半导体载流子为空穴，每个空穴带一个正电荷，N型半导体载流子为自由电子，每一个自由电子带一个负电荷。 ② PN结的单向导电性，PN结为P型半导体和N型半导体接触而成，接触面因为扩散和漂移的作用形成一个耗尽层，内部动态平衡，当接正向电压时，耗尽层缩小，当外部电场大于耗尽层电场，漂移大于内部扩散作用时，PN结导通，当接反向电压时，耗尽层扩大，PN结截止。 ③ PN结的击穿特性，雪崩击穿，耗尽层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，最终击穿耗尽层，形成极大的电流。 ④在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的N型半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管，这样阴极N型半导体侧具有高浓度的掺杂，与欧姆接触端连接，当电压瞬时变换时流经的电流具有更好的导通性。 器件设计 2.1 工艺设计 SiO2薄膜采用热氧化生长（制膜工艺）； 光刻胶：正性Polyimide 匀胶机； 去胶机； DWL 2000光刻机 光刻掩模版：6 ； 热扩散工艺； CMP以及清洗工艺； 检测工艺 2.2 版图设计 L-Edit软件编辑，设置每个单元格1um； NSD薄膜电阻版图线宽为5um，电阻体结深为3um，衬底电极结深1um； 引线孔的版图线宽为3um，反刻版线宽为5um，对版精度为1um。 器件版图 3.1 版图说明 版图全貌（尺寸50um×50um） L1 版为扩硼版 L2 版为扩磷版（衬底电极） L3 版为可调最大电阻的引线孔版 L4 版为可调最小电阻的引线孔版 L5 版为可调电阻为中值的引线孔版 L6 版为可调电阻为3/4总阻值的引线孔版 L7 版为可调最大电阻的反刻版 L8 版为可调最小电阻的反刻版 L9 版为可调电阻为中值的反刻版 L10 版为可调电阻为3/4总阻值的反刻版 以上10 块版各另需翻制一块，总计20 块版 3.1 制版说明 L1版为扩硼版（50um×50um） L2版为扩磷版（由一个5um×5um的方块组成） L3 版为可调最大电阻的引线孔版 版图尺寸：18um×33um（由3个3um×3um的方格组成） L7 版为可调最大电阻的反刻版 版图尺寸：20um×35um（由3个5um×5um的方格组成） L4 版为可调最小电阻的引线孔版 版图尺寸：33um×33um（由3个3um×3um的方格组成） L5 版为可调最小电阻的反刻版 版图尺寸：35um×35um（由3个5um×5um的方格组成） L5 版为可调电阻为中值的引线孔版 版图尺寸：48um×33um（由3个3um×3um的方格组成） L9 版为可调电阻为中值的反刻版 版图尺寸：50um×35um（由3个5um×5um的方格组成） L6 版为可调电阻为3/4总阻值的引线孔版 版图尺寸：33um×48um（由3个3um×3um的方格组成） L10 版为可调电阻为3/4总阻值的反刻版 版图尺寸：35um×50um（由3个5um×5um的方格组成） 器件工艺 4.1工艺流程图 4.2工艺计算 取一块浓度为的N型衬底，外延生长一层浓度为的轻掺杂N型硅 1. Wp=61um 电阻率480欧姆~cm d H 附图： 4.3工艺流程表 ①取本体浓度的N型硅进行热氧化生成SiO2。 ②用L1版进行第一次光刻：打开硼扩散窗口 ③采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为，在1000℃下进行8.26min的硼扩散，得到结深=0.15μm。 ④撤去恒定扩散源，在1200℃下进行90min的再扩散，得到结深=3μm。可得电阻率ρ=0.015Ω㎝，薄层电阻=50Ω/□。 ⑤用L2版光刻得磷扩散窗口。 ⑥采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在1000℃下进行10min的磷扩散，得到结深=0.2μm。 ⑦撤去恒定扩散源，在1000℃下进行35min的再扩散，得到结深=1μm。 ⑧用L3版光刻得引线孔。 ⑨用L7版反刻得金属电极。（再分别用版图和4版图8做最大电阻接触孔，用 版图5和版图9做中值电阻的接触孔，用版图6和版图10做3/4阻值的接触孔） 阻值计算 电路折角处方块约为1.5个方块值，引线采用铝铜合金=5Ω/□ 电阻计算公式：R=×L/w+0.5×N+ （N为折角数，为接触电阻） 最