一．用ir2113高电平转换能力，外加图腾柱输出和负压形成电路，可产生.doc

一．用ir2113高电平转换能力，外加图腾柱输出和负压形成电路，可产生＋15v和－12v的驱动信号，驱动电流可为8A 用400A IGBT作为负载，输入电容为60nf，基本上可模拟8管ixfn36n100并联的情况，外加电源后，输入方波的频率为20KHZ-70KHZ之间调节，发现ir2113发热严重，无法正常工作。 原理分析： c3,c4,D3,D4组成负压形成电路，当hin为高时，vb与ho相当于短接，则c5－ho－c3－d4给c3充电；当hin为低时，vs与ho相当于短接，则c3－ho－vs－c4－d3给c4充电，这样在c4上形成负压；C2,D2,r2组成电平转换电路，这样当ho为高时，Q3，Q2导通，输出高电平给mosfet，当ho为低时，Q1，Q4导通，输出c4上的负压给mosfet。 现象分析：当电容值取如图所示的值时，c5，c3的值都比较接近，当频率很高时，充放电速度很快，功耗很大，导致芯片发热严重。然而继续加大c3的值和缩小c5的值都不太合适。 改进：取消负压形成电路，只加图腾柱输出如下： 二．取消负压形成电路。 自举电容可选0.1uf。 缺点：没有负压。尽管mosfet不需要负压，但是负压还是能加快速度和防止噪声干扰。 问题：我觉得ir公司的驱动芯片很好用，但是在我这种情况，好像不太好用，所以我只好自己做电路去实现驱动，如果要采用ir公司芯片，您有什么建议马？ 三．脉冲变压器实现。 看过相关资料觉得用脉冲变压器实现的方法主要有两种，如下两图： 图一 图二 图一的缓冲电路没有画出 问题： 图一是一个成熟电路，当v1关断时，L3上负下正，则晶体管v4饱和导通，栅极电容通过v4放电，为什么是这样？ 饱和导同时，两个pn结都正偏，这只说明上面pn结正偏，be间正偏吗？ 如果原理没问题，图一的电路很适合大功率的mosfet驱动，变压器设计起来最关键的是不是，在导通和截止期间，变压器不能饱和？ 图二我觉得也很适合驱动mosfet，这种情况下，变压器好像可以饱和，是吗？ 计算时，我可以这样算功率吗：希望mosfet输入电容0.1uf充上15伏电压，w＝0.5*c*u*u*f 四．直接用推挽输出 原理： 当输入信号为高时，q1饱和导通，q2截止，q3栅极通过r3，d1，q1放电；q4栅极通过r2，d3，d1，q1放电，为防止q3，q4直通，应该使q4放电快些，即：r2比r3小。 当输入信号为低时，q2饱和导通，q1截止，电源通过q2，d2，r1对q3的栅极充电；通过q2，r4对q4的栅极充电，为防止q3，q4直通，应该q3充电快些，即：r1小些。 同时为加快充放电速度，尽量使r1-r4小些 问题： 如果驱动高端时，当s端电压跳为500v时，上面电路的地怎么解决？