可控硅的阴极与阳极与触发极检测详细介绍.docx

可控硅的阴极与阳极和触发极检测详细介绍 不同可控硅的检测方式介绍 　　（一）单向可控硅的检测 　　1．判别各电极 根据普通可控硅的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表R×100A或R×1k档测量普通可控硅各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。 　　具体方法是：将万用表黑表笔任接可控硅某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆（kΩ），而另一次阻值为几百欧姆（Ω），则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其它电极，直到找出三个电极为止。 　　也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。 　　普通可控硅也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如： 　　螺栓形普通可控硅的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。 　　平板形普通可控硅的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。 　　金属壳封装（TO–3）的普通可控硅，其外壳为阳极A。 　　塑封（TO–220）的普通可控硅的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。图8-15为几种普通可控硅的引脚排列。 　　2．判断其好坏 用万用表R×1k档测量普通可控硅阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明可控硅内部击穿短路或漏电。 　　测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于2 kΩ），反向电阻值较大（大于80 kΩ）。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该可控硅G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该可控硅已失效，其G、K极间PN结已失去单向导电作??。 　　测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻，正常时两个阻值均应为几百千欧姆（kΩ）或无穷大，若出现正、反向电阻值不一样（有类似二极管的单向导电），则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。 　　3．触发能力检测 对于小功率（工作电流为5A以下）的普通可控硅，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大（∞）。用镊子或导线将可控硅的阳极A与门极短路，相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆（具体阻值根据可控硅的型号不同会有所差异），则表明可控硅因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接（A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉），若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此可控硅的触发性能良好。 　　对不求甚解作电流在5A以上的中、大功率普通可控硅，因其通态压降VT、维持电流IH及门极触发电压VG均相对较大，万用表R×1档所提供的电流偏低，可控硅不能完全导通，故检测时可在黑表笔端串接一只200Ω可调电阻和1~3节1.5V干电池（视被测可控硅的容量而定，其工作电流大于100A的，应用3节1.5V干电池），如图8-17所示。 　　也可以用图8-18中的测试电路测试普通可控硅的触发能力。电路中，VT为被测可控硅，HL为6.3V指示灯（手电筒中的小电珠），GB为6V电源（可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源），S为按钮，R为限流电阻。 　　当按钮S未接通时，可控硅VT处于阻断状态，指示灯HL不亮（若此时HL亮，则是VT击穿或漏电损坏）。按动一下按钮S后（使S接通一下，为可控硅VT的门极G提供触发电压），若指示灯HL一直点亮，则说明可控硅的触发能力良好。若指示灯亮度偏低，则表明可控硅性能不良、导通压降大（正常时导通压降应为1V左右）。若按钮S接通时，指示灯亮，而按钮断开时，指示灯熄灭，则说明可控硅已损坏，触发性能不良。 　　（二）双向可控硅的检测 　　1．判别各电极 用万用表R×1或R×10档分别测量双向可控硅三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其它两脚均不通，则此脚便是主电极T2。 　　找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极T1和门极G3。测量这两脚之间的正反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小（约几十欧姆）的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。 　　螺栓形双向可控硅的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为