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模拟电子技术基础 ;第二章 半导体二极管及其基本电路;共价键结构;平面结构图：;本征半导体：;2.1.3 本征半导体，空穴及其导电作用; 在本征半导体中掺入微量的杂质，可使半导 体的导电性能发生显著变化。掺入的杂质主要是 三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂 质半导体。 ;2.1.4 杂质半导体;二、N型半导体;三、 杂质对半导体导电性的影响;本征半导体、杂质半导体;2.2 PN结的形成及特性;浓度差 ;浓度差 ;;2.2.2 PN的单向导电性;2.2.2 PN的单向导电性; PN结加正向电压时，电流较大，并随外界电压 增大而增大；而加反向电压时，电流很小，几乎为 零， 且几乎不随外加电压值而变化，这种正向导通、 反向截止的特性就称为PN结的单向导电性。;三、PN结的V-I特性;4. PN结的击穿特性;齐纳击穿: 在掺杂密度较大的PN结中，空间电荷区 极窄(微米数量级)，这样不大的反向电 压就能使空间电荷区形成很强的电场， 强电场足以将空间电荷区内的中性原子 的价电子拉出共价键，产生大量电子-空 穴对，使反向电流急增，这种击穿称为 齐纳击穿。发生齐纳击穿的反向电压值 一般不超过 6 V。 ;2.3 半导体二极管; 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。;(3) 平面型二极管;2.3.2 半导体二极管的V-I特性;2.3.2 半导体二极管的V-I特性;2.3.3 半导体二极管的参数;2.3.3 半导体二极管的参数;2.4 二极管基本电路及其分析方法;二、恒压降模型;三、折线模型;2.4 二极管基本电路及其分析方法;一、静态工作情况分析;一、静态工作情况分析;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;2.5 特殊二极管;本章学习的基本点和要掌握的重点内容;2. 二极管的单向导电性