磁性拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应_翁红明-免费文档.DOCVIP

　　 本文档下载自文档下载网，内容可能不完整，您可以点击以下网址继续阅读或下载： /doc/effada723196b46f51afa8d3 磁性拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应_翁红明 第34卷第1期2014年2月物理学进展PROGRESSINPHYSICSVol.34No.1Feb. [此处图片未下载成功] 2014 磁性拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应 翁红明，戴希，方忠* 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190量子物质科学协同创新中心北京100190 摘要:量子反常霍尔绝缘体，有时也被称为陈数绝缘体，是不同于普通绝缘体和拓扑绝缘体的一 类新的二维绝缘体，该体系具有可被实验观测的特殊物理性质—量子反常霍尔效应。该体系的物态不能用朗道对称性破缺理论来描写，而要用到拓扑物态的概念。它的发现也经历了从反常霍尔效应的内秉物性阐释，到量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体的发现，再到磁性拓扑绝缘体的理论预测与实现，并最终成功实验观测的漫长过程。由于量子反常霍尔效应的实现不需要外加磁场，而此时样品的边缘态可以被看成一根无能耗的理想导线，因此人们对于其将来可能的应用充满了期待。本文将从理论的角度简单综述该领域的发展历程、基本概念、以及相关的材料系统。 关键词:拓扑绝缘体；量子反常霍尔效应；贝里相位；拓扑不变量中图分类号：O469 文献标识码：A 目录 .霍尔效应与反常霍尔效应 .量子霍尔效应与量子化反常霍尔效应 .自旋霍尔效应、量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体IV.磁性拓扑绝缘体与量子化反常霍尔效应V.展望 参考文献 .霍尔效应与反常霍尔效应 年，当时还是美国约翰霍普金斯大学博士 生的美国物理学家艾德文#183;霍尔(E.H.Hall)发现在一个通有电流的二维导体中，如果施加一个垂直于电流方向的磁场，会在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压（见图1），这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应(HallE ect)[1]，产生的横向电压被称为霍尔电压，霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。第二年，即1880年，霍尔在研究磁性金属的霍尔效应时发现，即使不加外磁场也可以观测到霍尔 效应（见图2），这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应(AnomalousHa/doc/effada723196b46f51afa8d3llE ect)[2]。霍尔效应的发现受到极大的重视，因为当时人们对材料导电的认识还非常缺乏，它提供了研究材料内部导电机制的一个重要手段。它的物理机制在当时仍是个迷，这是因为直到1897年，即霍尔效应被发现十八年后电子的概念才首次被提出。现在我们知道，霍尔效应是由于磁场中的电子在运动过程中受到洛伦兹力而产生偏移的现象。理论与实验研究表明，霍尔电压与外加磁场强度是线性关系，该直线的斜率（称为霍尔系数）的大小和符号由导体中载流子浓度和载流子类别（电子或空穴）决定。但是在磁性导体中，实验测量的霍尔电压不是随外加磁场增强而线性增加的，因此被称为反常霍尔效应。许多早期实验测量发现，霍尔电阻率(ρH)通常可以写成 ρH=R0H 4πRSM (1) 其中R0是霍尔系数，H是外加磁场，RS是反常霍尔系数，M是磁性导体的磁化强度。其中第一项来自于霍尔效应的贡献，而第二项来自于反常霍尔效应的贡献。但是近来越来越多的实验表明ρH跟M不是简单的线性关系，而是包括会引起ρH符号变化的非常复杂关系。 反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生1 :2014-9-5*zfang@ 文章编号:1000-0542(2014)01-0001-9 图1.霍尔效应：外磁场Hz垂直于纵向电流Ix，横向电压Vy为霍尔电压 图2.反常霍尔效应：Mz是体系自发极化方向，纵向自旋极化电流Ix也会产生霍尔电压Vy 的运动轨道偏转。如果简单地把自发磁化当作有效的内磁场，那么该内磁场引起的霍尔效应远远小于实际观测到的结果。因此，反常霍尔效应的机理自其发现以来，一直存在争论而没有得到解决。直到二十世纪八十年代贝里相位理论建立起来后[3]，又经过十多年的研究才有了突破性的进展，揭示出其内禀贡献(intrinsiccontribution)的拓扑物理本质[4～10]。1954年，Karplus与Luttinger提出反常速度理论[11]。他们发现纯周期性晶格中的电/doc/effada723196b46f51afa8d3子，除了通 垂直的反常常的群速度项外，还存在一个与外电场E 速度，从而导致反常霍尔效应的存在。该霍尔系数与纵向电阻的关系是Rs∝ρ2，通过对铁、镍的反常霍尔效应做估算，与实验观测基本吻合[12]。由于该反常速度起源于完整周期性势场下电子内禀的自旋轨道耦合作用和自发磁化，跟杂质和晶格散射没有任何关系，因此被称为反常霍尔效应的内禀贡