模拟集成电路NMOS管特性曲线仿真.docxVIP

软件cadence IC617 virtuoso PMOS和NMOS的特性曲线仿真。（1）第一个仿真是：当VGS变化时，漏极D的电压电流如何变化。首先搭建NMOS电路：接着开启仿真：接着选择分析为dc分析，然后sweep variable 那里选择Component Parameter，然后Select Component，然后到原理图点击电压源V0，出现下图窗口：选择第一个dc，然后确定。接着扫描范围从0到1.2V，扫描类型为linear，步进大小为0.01，最后勾选Save DC Operating Point，之所以勾选是因为后面用菜单栏中的Results打印时，这里的功能是根据仿真的结果来打印的，如果你没有勾选，每次仿真的结果没有保存，那么Results中的画图就无法画了。点着点击仿真，就出来仿真结果：接下来我们可以Results-Direct Plot直接绘制，然后选中DC，然后从原理图中选中漏极D的那根电压线，然后ESC,然后出现漏极电压随VGS的变化情况。可以看到当VGS慢慢增加时，当增加到大概0.6V左右，大概就导通了。当然我们也可以通过Output-To be Plot-Select on design，然后选中漏极电压D，然后开仿真即可。接着看漏极电流和VGS关系：那么Output-To be Plot-Select on design选中漏极D点，然后出现圆圈，然后ESC，然后点击仿真，就出现下图结果：可以看到，大概0.6V左右NMOS导通，然后我们将Y坐标切换成对数形式看看。也就是在Y轴那些刻度上右键，选择axis propertiesscale里面Log打勾。然后就变成了下图：可以看到电流增大逐渐趋于平缓，也就是电流区域饱和。第二个仿真是：VGS和VDS固定，打印此刻直流工作点，首先在原理图界面设置两个电压范围是600mV和800mV，。接着分析设置如图，要勾选Save DC Operating Point，然后点击仿真。当仿真结果出来后。选菜单栏的Results-print-DC Operating Point，从原理图中选中NMOS这个器件，然后就打印在当前直流工作点条件下NMOS管各个参数的情况。比如VTH，阈值电压是多少，比如gm,gds是多少等。比如输出阻抗多少等等。接着我们要分析晶体管的一些参数随VGS的变化而变化，首先原理图：其次我们设置DC：和刚才一样。然后点击绿色按钮仿真。接着选择里面的Select OP Parameters.选择NMOS器件然后ESC，勾选Plot，然后从里面选择三个参数gm gds以及vth，如果没有可以get from simulation接着再点一次仿真然后从Results-Plot output-dc即可出现结果：然后要对结果进行分析等等。接着是计算器的使用：以刚才的结果为例，如果想要计算gm/gds的比值，那么应该怎么做呢？在仿真图中的菜单栏选计算器。radio切换到wave。然后Pop Insert点击，然后从图中选中gm和gds然后点击除号，就可以实现gm/gds。这种堆栈弹出好像有见过。然后Clip旁边的那个按钮点击就可以在图中画出结果波形了：同理仿真PMOS的曲线，和NMOS比较，首先是原理图：