交流电流放大系数与频率的关系.PPT

晶体管的频率参数 * 3.7　电流放大系数与频率的关系 在实际运用中，晶体管大多数都是在直流偏压下放大交流信号。随着工作频率的增加，晶体管内部各个部位的电容效应将起着越来越重要的作用，因而致使晶体管的特性发生明显的变化。如，电流放大系数将因为电容效应随频率的增加而减小。 符号说明：以 和 分别表示高频小信号下的发射结注入效率、基区输运系数和共基极与共发射极电流放大系数，它们都是复数。对极低的频率或直流小信号，即 时，它们分别记为 和 。 电流、电压和电荷的符号（以基极电流为例）为：总电流： 其中的直流分量： 其中的高频小信号分量： 高频小信号的振幅： 3.7　电流放大系数与频率的关系 3.7.2 发射结势垒电容充放电时间常数及交流发射结注入效率 3.7.3 基区渡越时间及基区输运系数与频率的关系 3.7.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 3.7.4 集电结耗尽区渡越时间及集电结耗尽区输运系数 3.7.5 集电结势垒电容充放电时间常数及集电极衰减因子 3.7.6 电流放大系数与频率的关系 随着信号频率 的提高， 的幅度会减小，相角会滞后。 3.7.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 ?截止频率 f?： 共基极电流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值 特征频率fT：共发射极电流放大系数为1时对应的工作频率 最高振荡频率fM：功率增益为1时对应的频率 ?截止频率 f ? ：共发射极电流放系数减小到低频值的 所对应的频率值 以PNP管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化： P P N ie ipe ipc ipcc ic ie ic CTe CDe CTc 1、发射结势垒充放电时间常数τeb 当暂不考虑从基区注入发射区的 ine（ 即假设 ）时， ie re CTe e b 3.7.2 发射结势垒电容充放电时间常数及交流发射结注入效率 P N P