磁敏二极管综述7.docVIP

磁敏二极管综述 引言 磁敏二极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的一种新型磁电转换元件。它具有体积小、磁灵敏度高的优点, 可以广泛应用于磁场检测、自动磁力探伤、工业自动化和电子技术等领域。 前使用的半导体磁电转换元件有霍尔元件和磁敏电阻。霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的, 这种元件的特点是, 它的输出霍尔电压与磁场方向有关, 并和磁场强度成正比, 但是输出电压很低(约1.5 m V / m A. kG ) , 需要附加一个稳定的放大电路才能使用, 磁敏电阻是利用二次霍尔效应制得, 但是它在弱磁场下, 输出与磁场强度的平方成正比, 使输出剧烈下降, 而且与磁场的正负方向无关。 磁敏二极管与霍尔元件等相比体积小, 磁灵敏度高( 1000 m V / m A.kG ) , 电路简单,具有一系列的优点。 1 原理与结构 磁敏二极管是采用本征导电高纯度锗( G e ) 制成的, 其物理性能是基于注入载流子表面再复合的差, 这种管子的结构是p + i—n+ 型二极管。在高纯锗的两端用合金法做成p 型和n 型区域, i 区是本征高纯锗, i 区长l 要取L (载流子的扩散长度) 的数倍, 在一侧面制成(扩散杂质或喷砂) 高复合区域, 一般叫r 区(即复合速度大的区域) , 见图1( p 端接正极,n 端接负极) , 在外加电压作用下p 端和n 端接合处的载流子双重注入, 这两种载流子是从p 区注入i 区的空穴和n 区注入i区的电子所组成在没有磁场的情况下(图2 中) , 大部分空穴和电子分别流入n 区和p 区而产生电流, 仅有很小部分电子和空穴在i 区复合掉。如果加上一个正磁场( 图2 中) , 电子和空穴均偏向r 区, 在r 区电子和空穴的复合速度加快, 电子和空穴在r 区很快就复合掉。因此, 在磁场为时, 载流子的复合率比没有磁场时要大得多, 这时i 区的载流子密度便减小，i区的电阻增加，也就是说载流子的平均寿命减小，电流也随之减小。从管子的两端来看，电阻增加了。i区的电阻增加，外部电阻分配在i区的电阻就增加，加在结和 结的电眼减小，进而使载流子的注入效率减小，控制在炉子的注入量，逐渐使i区的电阻进一步增加，一直达到某种稳定状态。所以在磁场为时，磁敏二极管伴随着正反馈作用的效果，从而提高它的灵敏度。当加以反向磁场时（图2中），是的电子和空穴r区的对面偏转，复合减小，同时载流子继续注入i区，该去的载流子密度增加，电阻减小，电流增加，载流子的平均寿命增加，结果是i区的电压降减小，加在结和结的电压相应地增加，这将进一步促使载流子想i区注入，而一直使管子的电阻减小到某一稳定状态为止。从上述可以清楚地看出，i区和其外部分的复合率之差越大，它的灵敏度提高。有很大复合速度的r区是磁敏二极管的最大特点。由此可知：随磁场方向的变化产生正负变化特别是在较弱的磁场下可获得较大的输出电压，这是同霍尔元件和磁敏电阻所不同的。对应于预先规定的方向的磁场，可以得到与磁场大小成比例的电压变化。对于反向电压，由于PN结的整流作用，仅能流过很微小的电流，几乎与磁场无关。 图1 敏感二极管的结构 图2 敏感二极管的工作原理 2 敏感二极管的特性 敏感二极管是一种特殊的磁电转换元件，目前我们生产的磁敏二极管管芯尺寸4毫米，宽0.6毫米，厚0.4毫米。i区载流子扩散距离越长，元件的长度就越长。敏感二极管加以正向偏压是，随磁场变化的福安特性曲线示于图3.中间的曲线表示二极管不加磁场（H=0）时的情况，和表示二极管在加正磁场和负磁场时电压和电流的关系。 （1）当所加偏压一定时，曲线表示二极管电阻增加，电流减小；曲线表示电阻减小，电流增加。 （2）同一磁场下，电流越大，输出电压变化量越大。 从图3可以看出，磁敏二极管是利用磁场变化而引起元件电阻变化的二端元件。磁敏二极管磁场—输出电压特性曲线示于图4，电路接线按图4，a链接。随磁场变强曲线趋向饱和，在弱磁场（100G以下）输出电压同磁场强度成正比，磁场为零时的端电压为，在正磁场（）时，电压的增量为△，在负磁场（）时，电压的减小量为△。 图3 磁场二极管电压—电流特性 图4 磁敏二极管—输出电压特性 图5为磁敏二极管的温度特性曲线。从图5中可以看出次元件受温度的影响较大，当温度升高时，锗中热激发的载流子浓度迅速增多，甚至超过注入载流子浓度，因此电流增加，减小，磁灵敏度下降。在使用中尽量减小温度的变化，也可以牺牲若干灵敏度，而使温度特性改善，或者用热敏电阻等进行适当的温度补偿。为此可把两个温度系数相同的元件按磁极相反的放向串联起来（见图6，a），就能起温度补偿的作用，这种接法通常称为差动接法。在没有磁场时，两元件中点电压不随温度而改变，保持一个定值=。