双极型器件的总剂量辐射效应损伤机理.pptVIP

赵婷 2015年9月14日 张婷 华南理工大学 电子与信息学院 摘要 随着空间技术的发展，双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。 1、从钝化层辐射损伤机理出发，介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型。 2、结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应。 3、针对双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与模型展开讨论。 面临的问题？ 器件将面临长时间、高能量、大剂量的粒子辐射，器件和电路性能将会退化，系统寿命显著减少。本文的工作 从器件钝化层的辐射损伤机理出发，基于辐射诱生钝化层固定电荷与界面态，结合双极型器件的基极电流模型，探讨双极型器件的总剂量电离辐射效应， 并针对双极型器件的低剂量率辐射损伤效应与机理展开讨论。 当双极型器件与线性电路应用于空间辐射环境时, 研究结果表明: 双极型器件电离辐射敏感区域为SiO2钝化层，辐射诱生氧化层陷阱电荷与界面态将影响器件的电学参数，如基极电流、 直流增益等。 1 钝化层的辐射损伤机理与模型 双极型器件结构如图 1 所示 钝化层的总剂量辐射效应可 分为4个过程 1.1 钝化层的辐射效应 当器件受到总剂量电离辐射时，钝化层将吸收能量并产生电子-空穴对，每对辐射诱生电子-空穴对所需能量为17±1eV。整个辐射过程中，部分电子-空穴对在短时间内复合; 电子在钝化层中迁移率较高(室温下约为20 cm2 v-1s-1 ) ，未复合电子将在ps或更短时间内漂移出钝化层。空穴迁移率极低(室温下约为10-5cm2v-1s-1)，相对电子较稳定。 一 二 辐射诱生空穴受外部电场和内建电场影响将逐渐向Si/SiO2界面输运，空穴在外加电场作用下通常为跃迁输运。空穴在钝化层内浅陷阱能级间的跃迁为一个随机空间分布过程，与外加电场、温度、氧化层厚度等有关，室温下将在1s内完成整个跃迁输运过程。 三 在空穴向 Si/SiO2界面输运过程中，部分空穴可能被深能态中立陷阱(包括 E，中心、间隙氧施主中心Oi和三价硅施主中心) 捕获形成氧化层固定电荷，氧化层固定电荷将造成器件表面反型、增益减少和漏电流增加。 辐射诱生空穴的漂移过程中将产生部分氢离子; 氢离子亦向 SiO2 /Si 界面处跃迁。当H离子到达SiO2/Si界面时，其将使部分SiH键断裂，形成H2分子和三价硅陷阱，反应式： SiH + H+→ Si + H2。 (1)辐射诱生界面态将影响器件的表面复合速率，并导致器件直流增益减小 。 四 考虑辐射诱生电子－空穴对及钝化层内电子、空穴的电流密度，空穴和电子的连续性方程分别为 1.2 辐射诱生钝化层固定电荷的计算模型 式(2) 、(3) 中: n0为单位剂量内氧化层中辐射诱生电子－空穴对的数量; D 为辐射剂量率; φ 为电子 /空穴复合逃逸率，其与氧化层内电场强度有关; jp、 jn为自由空穴、自由电子的电流密度; Ｒp、Ｒn为电子－空穴复合速率，分别为:  式( 4) 、( 5) 中: σp 为中立陷阱捕获空穴的捕获横截面; σn为电子与被捕获空穴的复合横截面; NT为中立陷阱数量; PT 为被陷阱捕获空穴数量。若需考虑双极型器件的剂量率效应， 则需对式( 4) 与式( 5) 进行修正，以考虑各种电子－空穴的复合过程。与式(2) 、(3) 相似， 钝化层内被中立陷阱捕获空穴的一维连续性方程: 联解式( 2) ～ ( 6) ，即可得到钝化层内中立陷阱捕获空穴的数量。 1.3 辐射诱生界面态的计算模型 基于钝化层内空穴、电子、H离子的一维连续性方程，可推导出辐射诱生界面态密度随总剂量的变化关系。空穴被陷阱捕获后释放出的氢离子 ( 质子) 的连续性方程为: 式( 7) 中，等式右边三项分别为自由空穴被陷阱捕获后释放的氢离子数目、 氢离子流密度及氢离子与硅氢悬挂键反应的数目。NsiH 与Nit分别为硅氢悬挂键及界面态密度， jH 为氢离子流密度; σit为氢离子与硅氢悬挂键反应的概率( 横截面) 。 式( 8) 中，等式右边两项分别为界面态的生成数量及界面态随时间的退火数量。τit为界面态的寿命。联解方程( 2) ～ ( 8) ，即可得到辐射诱生钝化层－Si界面处界面态密度随总剂量的变化关系。 辐射诱生界面态的连续性方程为: 2 器件辐射损伤机理与模型 氧化层固定电荷将改变Si－SiO2界面处的电势，使P型掺杂区域表面耗尽乃至反型，而N型掺杂区域表面积累。P型表面反型将导致器件漏电电流增加，击穿电压下降; 而 N 型区域( NPN 晶体管的基极和 PNP 晶体管的发射极)耗尽将使得器件表面复合电流增加，基极电流上升，导致器件静态电流增益 β 随之下降。氧化层固定电荷与基极电流变化 ΔIB关系为： 辐射诱生氧化层固定电荷与界面态都将对双极型器件的电学参数产生影响。 Sr 为表面复