存储器和io空间2.pptxVIP

以“LF”为前缀的DSP芯片具有Flash存储器，而以“LC”为前缀的芯片，片内有CMOS工艺的程序存储器，而没有Flash存储器。 在LF2407/ LF2407A的片内具有2K字的单访问RAM（SARAM）和544字的双访问RAM（DARAM：B0块-256字；B1块-256字；B2-32字） 5.1 片内存储器 5.1.1 双访问RAM (DARAM) 所有LF240x DSP片内均有544字双访问RAM（DARAM）。双访问RAM在一个机器周期内可被;访问2次，即在一个机器周期的主相写数据到DARAM；而在该周期的从相从DARAM读出数据，从而大大提高了运行速度。 544字双访问RAM分为三块：B0、B1和B2，该存储器空间主要用来保存数据，但是B0块也可以用来保存程序。B0块配置成数据存储器空间还是程序存储器空间，要由寄存器ST1的CNF位来决定： （1）CNF=1，B0映射到程序存储器空间； （2）CNF=0，B0映射到数据存储器空间。;5.1.2 单访问RAM (SARAM) LF2407/LF2407A的片内有2K字的单访问RAM（SARAM）。单访问RAM在一个机器周期内只能被访问1次。例如，如果一条指令要将累加器的值保存，且装载一个新值到累加器，在SARAM中，完成这个任务需要两个时钟周期，而在DARAM中只需要一个时钟周期。 利用软件可将SARAM配置成外部存储器或内部SARAM。 5.1.3 Flash程序存储器 片内的Flash存储器映射到程序存储器空间。对于LF2407/LF2407A，MP/引脚决定是访问片内的程序存储器（Flash）还是访问片外的程序存储器。 ;1. Flash程序存储器 Flash可以被编程（在15MHz至40MHz的时钟频率范围内）或者使用电擦除的方式多次使用，以便进行程序的修改和开发。Flash模块特点： 运行在3.3V电压模式。 对Falsh编程时需要在VCCP上有5V（±5％）电压供电。 Flash有多个向量，用来保护它，防止被擦除。 Flash的编程是由CPU来实现的。 2.Flash控制方式寄存器（FCMR） 除了Flash存储器阵列，Flash模块还有4个寄存器。控制在Flash中的操作。在任意给定的时间内，用户 ;可以访问Flash模块中的存储器阵列，也可以访问控制寄存器，但不能同时访问。Flash模块有一个Flash控制方式寄存器来选择两种访问模式。该寄存器映射在内部I/O空间的FF0Fh，这是一个不能读的特殊功能寄存器，它可以在Flash的存储器阵列方式下使能Flash，用来对Flash阵列编程。该寄存器的功能如下： 使用该寄存器???址的OUT指令，可以将Flash模块置于寄存器访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如： OUT dummy, 0FF0Fh ；选择寄存器访问方式;使用该寄存器地址的IN指令，可以将Flash模块置于存储器阵列访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如： IN dummy, 0FF0Fh ；选择存储器阵列访问方式 5.2 程序存储器 程序存储器空间用于保存程序代码以及数据表和常数，其寻址范围为64K，包括了片内DARAM和片内Flash。当一个片外程序存储器地址需要访问时，DSP会自动产生相应的访问外部程序存储器地址空间的控制信号（、等）。图5-1所示为LF2407A的程序存储器空间的映射。 ;图5-1 LF2407/2407A的程序存储器映射 ;有两个因素决定程序存储器的配置： （1）CNF位。CNF位是状态寄存器ST1的第12位，决定双访问RAM（DARAM）配置在数据存储器空间，还是配置在程序存储器空间。 CNF＝0时，256字的B0块被映射到数据存储器空间。 CNF＝1时，256字的B0块被映射到程序存储器空间。 在复位时，由于CNF＝0， B0块则被映射到数据存储器空间。 ;（2） MP/MC*引脚。该引脚决定是从片内Flash/ROM读取指令。还是从外部程序存储器读取指令。 ＝0时，器件被配置为微控制器方式。片内Flash可以被访问，器件从片内 程序存储器中读取复位向量。对于LF2407/LF2407A芯片，此时访问的是片内程序存储器的0000h-7FFFh空间。 MP/MC*＝1时，器件被配置为微处理器方式。器件从外部程序存储器中读取复位向量。对于LF2407/LF2407A芯片，此时访问的是片外程序存储器的0000h-7FFFh空间。 无论MP/MC*引脚为何值，LF240x DSP都是从程序存储器空间的0000h单元开始执行程序。 ;5.3 数据存储器 LF2407/LF2407A数据存储器的空间的寻址范围高达64K字，32 K字是内部数据存储器空间（0000h-7FFF