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关于LED芯片制造工艺探讨 　　摘要：当前大力畅导环保、节能，发展绿色照明设备，LED芯片制造工艺已成为未来的电子原器件发展的重要趋势。近年来LED以其热量低、亮度高、寿命长、零污染、可回收等无可比拟的优点，成为全球瞩目的新一代绿色光源，具有广阔的发展前景。文章首先介绍了LED芯片的制作工艺流程、制作方案，对当前国内LED芯片的主流制造工艺技术进行探讨。 　　关键词：LED芯片；制造工艺；技术探讨 　　中图分类号： TM543 文献标识码： A 　　一、引言 　　LED是发光二极体( Light Emitting Diode, LED)的简称，也被称作发光二极管，由美国无线电公司（Radio Corporation of America）Rubin Braunstein发现。其发光原理是电子与空穴之间，通过加压，电子从一个空穴跳到另一个空穴，而另外一个空穴所能承受的能量比较少，多的那部分能量就以光的形势出来了专业点说的话，就是能量跃迁原理，电子从高能级跳到了低能级，把多余的能量以光的形式发出来。 　　 　　 　　 　　图 1能级跃迁——复合模型 　　随着国际社会对环保、节能的大力畅导，发展绿色照明设备，已经成为未来的电子原器件发展的重要趋势。LED以其热量低、亮度高、寿命长、零污染、可回收等无可比拟的优点，已经成为全球瞩目的新一代光源，LED光源也被称为最有发展前景的绿色光源。因此，加强LED芯片制造工艺的探讨具有重要意义。 　　二、LED芯片工艺技术方案 　　1. 外延生长工艺 　　在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。 　　 　　 　　 　　 图2 外延生长工艺设备示意图 　　为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展。①减压外延：自掺杂现象是使用卤素化合物作源的外延过程中难以避免的现象，即从基片背面、加热体表面以及从前片向后片，都会有掺杂剂迁移到气相而再进入到外延层。自掺杂使外延层杂质浓度不均匀。若将反应管中的压力降到约 160托,即可有效地减少自掺杂。②低温外延:为得到衬底与薄外延层之间的突变结,需要降低生长温度,以减少基片中的杂质向外延层的自扩散。??用He-SiH4分解、SiH2Cl2热分解以及溅射等方法都可明显降低温度。③选择外延：用于制备某些特殊器件，衬底上有掩模并在一定区域开有窗口，单晶层只在开窗口的区域生长，而留有掩模的区域不再生长外延层。④液相外延：将生长外延层的原料在溶剂中溶解成饱和溶液。当溶液与衬底温度相同时，将溶液覆盖在衬底上，缓慢降温，溶质按基片晶向析出单晶。这种方法常用于外延生长砷化镓等材料。⑤异质外延：衬底与外延层不是同一种物质，但晶格和热膨胀系数比较匹配。这样就能在一个衬底上外延生长出不同的晶膜，如在蓝宝石或尖晶石衬底上外延生长硅单晶。⑥分子束外延：这是一种最新的晶体生长技术（图2）。将衬底置于超高真空腔中，将需要生长的单晶物质按元素不同分别放在喷射炉中。每种元素加热到适当的温度,使其以分子流射出,即可生长极薄（甚至是单原子层）的单晶层和几种物质交替的超晶格结构。 　　2. 芯片加工工艺 　　清洗1：对Wafer进行清洗。 　　涂胶：涂胶是涂在外延片表面的高分子保护膜，主要过程为：首先配胶，将DNQ胶、树脂和丙酮按大约1:0.05:12的比例配合，然后进行涂胶，涂胶为自动涂胶。此过程有溶剂挥发，经集气系统收集，并经活性炭吸附后排放。 　　前烘：前烘目的使胶膜体内溶剂充分地挥发，挥发的溶剂，经集气系统收集，并经活性炭吸附后排放。 　　曝光：把印有图形的母片放在涂好光刻胶的外延片表面上，通过紫外线照射复印到外延片上。使胶与感光部分发生化学反应。 　　显影：用溶剂把曝光过程中未感光部分溶解去除，得到所需的图形并露出Wafer表面。此过程有溶剂挥发，经集气系统收集，并经活性炭吸附后排放。 　　坚膜：使胶膜与Wafer之间紧贴得更牢，现时也增强胶膜本身的抗蚀能力。 　　刻蚀：用氢氟酸刻蚀液处理外延片，使其形成一个“窗口”。 　　清洗2：对刻蚀后的Wafer进行清洗，去除氢氟酸等杂质。清洗废水汇入废水中和装置。 　　烘干：对清洗后的Wafer进行烘干。 　　介质沉积：向“窗口”中加入半导体介质，结合成完整的LED。然后进行快速热处理。 　　研磨和抛光：对器件进行研磨和抛光，此过程会产生粉尘，设备自带除尘装置，经处理后经排气筒排放。 　　清洗3、4：采用纯水冲洗器件，以去除机械杂质。清洗废水汇入废水中和装置。划片、分片：对Wafer器件进行切割，此过程会产生少量固体废物。 　　3、芯片封装工艺方案 　　⑴ 芯片检验 　　镜检：材料表面是否有机械损伤及