第2 3 场效应晶体管.pptVIP

（1）线性区：VGS-VTVDS 令：K= Cox ? ?n 工艺因子 Cox :单位面积电容； ?n：电子迁移率 βN=K(W/L) 导电因子 则： IDS=βN[(VGS-VTN)-VDS/2].VDS ——线性区的电压-电流方程 当工艺一定时，K一定，βN与（W/L）有关。 （2）饱和区：VDSVGS-VT L S D VDS VDS -( VGS-VT) VGS-VT VGS-VT不变，VDS增加的电压主要降在△L上，由于△L??L，电子移动速度主要由反型区的漂移运动决定。所以，将以VGS-VT取代线性区电流公式中的VDS得到饱和区的电流—电压表达式： 沟道夹断 沟道长度调制效应 MOS的电流电压特性 （3）截止区： VGS-VT ≤0 IDS=0 IDS 输出特性曲线 VDS 0 线性区 饱和区 | VG5| |VG4| |VG3| |VG2| |VG1| VGS-VT0 VDS =VGS-VT 截止区 （4）亚阈值区 栅电压低于阈值电压时，MOS管中形成弱反型层，漏电流IDS虽然很小，但并不为0，而时随栅电压成指数规律变化，称此时的电流为弱反型电流或者亚阈值电流，它主要是由载流子扩散引起的。