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4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 4.1 双极型三极管BJT 一个PN结 二极管 单向导电性 二个PN结 三极管 电流放大（控制） 4.1.1 BJT的结构简介 分类： 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 三极管的不同封装形式 中功率管 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 4.1.1 BJT的结构简介 1. NPN型 NPN管的电路符号 2.PNP型 PNP管的电路符号 • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 结构特点：内部条件 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 外部条件 发射结正偏，集电结反偏 三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)都参与导电，故称为双极型三极管BJT 。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区： 传送和控制载流子 外部条件 发射结正偏，集电结反偏 IE=IB+ IC 电流分配关系 基极电流传输系数： 集电极电流放大系数： 3. 三极管的三种组态 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 电压放大倍数 vO = -iC• RL = 0.98 V， 共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用） 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 思考1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？ 思考2：可否将e和c交换使用 思考3：外部条件对PNP管和NPN管各如何实现？ 综上所述，三极管的放大作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 小结 特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线 输入特性曲线 输出特性曲线 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 工作在放大状态的条件： vCE≥1V 饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜1V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：特征－IC接近零 该区域相当IB=0的曲线下方。 此时，发射结反偏或正偏电压很小，集电结反偏。 放大区：特征－IC平行于VCE轴 该区域内，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 2. 输出特性曲线 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iC=f(vCE) iB=const 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 倒置：发射结反偏，集电结正偏 临界饱和（虚线） 练习：测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 (1) VC＝6V VB＝0.7V VE＝0V VBE＝0.7V VCB＝5.3V 放大区域 (2) VC＝6V VB＝2V VE＝1.3V VBE＝0.7V VCB＝4V 放大区域 (3) VC＝6V VB＝6V VE＝5.4V VBE＝0.6V VCB＝0V 饱和区域 (3) VC＝6V VB＝6V VE＝5.4V VBE＝0.4V VCB＝2V 截止区域 (4) VC＝6V VB＝4V VE＝3.6V (5) VC＝3.6V VB＝4V VE＝3.4V VBE＝0.6V VCB＝-0.4V 饱和区域 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 (2) 共射极交流电流放大系数  =iC/iBvCE=const. (4)