电力电子技术课件第9章器件的温度控制和散热.ppt

第九章 器件的温度控制和散热 9.1 半导体器件的温升控制 9.2 热量的传导 9.3 散热片 9.4 热量的辐射和对流 9.4.3 散热片和周围环境之间的热量计算问题 假设Ts=120℃，Ta=20℃。应用前面讨论过的原理计算散热片和周围环境之间的热阻Rqsa。 A1 A2 0.063m 0.092m 0.009m 0.075m 0.075m 0.063m 0.115m 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 为了估算总热阻的辐射成分,采用公式计算Arad , 则： 散热片的翼片之间的距离大约是9mm, 公式 可以修改为下式： 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 Fred 1.0 0 0.6 0.5 0.2 0.4 0.1 0.3 0.9 0.8 0.7 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 散热片翼片之间的距离 mm 上式中的Fred是散热片翼片之间的冷却系数，可从图中查到它的值，散热片对流面积可以近似的求得： 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 Fred 1.0 0 0.6 0.5 0.2 0.4 0.1 0.3 0.9 0.8 0.7 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 散热片翼片之间的距离 mm 由图中可以查出，当翼片之间的距离是9毫米时，Fred＝0.78，应用 可得 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 考虑辐射热阻和对流热阻的综合作用， 应用公式 可以得到散热片和周围环境之间的总热阻： (℃/W) 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 小 结 在装置正常工作时，功率半导体器件的结温不可以超过厂家给出的最大值，如果超过这个值，装置工作可靠性将大大降低。 热量是从电力电子器件内部一直传导到最外面的散热片，在这一过程中，每一层的热阻不一样，需要区别对待。 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 不能仅依靠热阻来估算半导体器件的瞬时热量散失（相对于热时间常数来说所经历的时间非常短），估算值比实际值小，一般采用阻容电路近似分析瞬时热量的大小。 热阻和热容的混合作用是热阻抗。 现在市面上已经有很多种散热片用于功率半导体器件的温度控制，只要查厂家提供的手册，就可以选择合适的散热片。 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 热量从散热片传递到周围的环境，主要通过两种方式：辐射和对流。 热量的辐射功率和器件表面与周围环境之间的温度四次方之差成正比。 热量的对流功率和散热片的垂直高度以及器件的表面与周围环境之间的温度差都有关。 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 * * 9.1 半导体器件的温升控制 9.2 热量的传导 9.3 散热片 小结 9.4 热量的辐射和对流 首 页 下 页 返回 本章重点 器件的温度控制和散热 功率半导体器件热控制的机制，包括热量的产生，辐射，及传送。 充分理解半导体器件内部的热机制。 理论上半导体器件的最高温度极限就是它内部的本征温度Ti，且半导体器件的轻掺杂区和重掺杂的本质温度相同。如超过这个温度，则PN结的特性将会消失，本来起屏障作用的耗尽区将会被本征载流子代替。 半导体器件规格书上标明的最高温度实际上比它的最高温度极限Ti小很多。通常情况下，半导体器件随着它内部温度升高，能量损耗越大。 器件的温度控制和散热 设计过程中，通常假设在最糟的结温下，器件仍然能够正常工作。然而，检测系统的正常工作必须精确。但晶闸管却是一个例外。 一些半导体器件装置，在温度稍微高于200℃时，也能够工作，但可靠性低一些，且工作时间不能太长。 一些特殊应用场合，需要器件工作在高温环境下，此时必须采取大范围的热屏蔽措施。 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 电力电子设备在高温环境下运行时，散热装置是必须首先考虑的一个因素。它包括散热片的尺寸，重量，安装位置以及环境温度。 散热装置如果设计得不好，将导致设备工作不稳定。特别注意，当温度超过50℃时，以后每升高10-15℃，半导体器件的可靠性就会成倍的降低。 散热片是设计电力电子系统经常采用的散热方式。 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 9.2.1 热阻 A T1 d b h P T2 热量流动方向(Pcond) 热量的流动总是从温度高的一端流向温度低的一端。单位时间流过的热能，用公式表示如下： 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 :温度差 T2:材质较热一端的温度 T1:温度较低一端的温度 A:材质的横截面积,单位为m2, d :长度，单位为米， λ：热传导率，单位为瓦每米摄氏度。 单位为℃ 下 页 上 页 返 回 器件的温度控制和散热 A T1 d b h P T2 热量流动方向(Pcond)