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模拟电子电路及技术基础 孙 肖 子 《模拟电子电路与技术基础》课程的特点是 “概念性、工程性、实践性“强！ 6、结果讨论 通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。 1.选择晶体管的依据 2.关于信号源内阻Rs 3.关于集电极负载电阻RC的选择原则 4.关于负载电容CL 第7章 频率响应 西安电子科技大学 “注重物理概念，采用工程观点； 重视实验技术，善于总结对比； 理论联系实际，注意应用背景； 寻求内在规律，增强抽象能力。” 7.1 频率响应的基本概念 7.1.1 频率失真 信号通过线性时不变系统, 其频率成分不变,但各频率 分量的振幅及相位会发生变化. (a)信号 (b)振幅频率失真 (c)相位频率失真 线性失真与非线性失真的差别:起因不同,结果不同.线性失 真不会产生新的频率分量. 7.1.2 实际的频率响应及通频带的定义 增益频带积 7.2 晶体管的高频小信号模型与频率参数 (与频率无关) 定义:当 下降到”1”所对应的频率定义为 特征频率 ,即 7.3 预备知识 中频区 高频区 低频区 7.4 共射放大器的高频响应 利用密勒等效简化模型  be s L o be s c b L m uIs r R R r R r R g A + - = +  - =  b 1 2 i s H H C R f  = = p w ) ( 1 ) ( 2 H uIs u f f A j A + = w ) arctan( 180 ) ( H o f f j - - = w j ) arctan( H f f - = D j 附加相移 4. 频率特性的波特图表示法 5、负载电容和分布电容对高频响应的影响 计算管子极间电容与负载电容 影响在内的总的上限角频率 (为输出回路时常数倒数) [例7.4.1] 7.5 共集电路的高频特性 一、 Cb′c的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源，所以Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cb′c本身很小(零点几～几pF),只要源电阻Rs及rbb′较小， Cb′c对高频响应的影响就很小。 二、C b′e的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端，则密勒等效电容CM为 三、CL的影响 只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ较大，则Ro可以做到很小。 所以时常数RoCL很小，fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。 7.6 共基电路的高频响应 一、C b′e的影响 由图可见，如果忽略rbb′的影响，则C b′e直接接于输入端，输入电容Ci= C b′e ，不存在密勒倍增效应，且与C b′c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多。而且共基电路的输入电阻Ri≈re=26mV/ICQ，也非常小，因此，共基电路输入回路的时常数很小， fH1很高。理论分析的结果fH1≈fT。 二、C b′c及CL的影响 7.8 放大器的低频响应 * * * *