RENA前后清洗工艺培训课件教程.ppt

* 减少CDA的压力，调节上下风刀的压力，使得上下压力到达均衡． 调整风管的方向，确保O-ring没有碰到风管． 调节挡板和滚轮之间的距离 * 调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行． 调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行． * 检查所有滚轮和O-ring的位置是正确的，确保上下滚轮在同一条线上． 调节滚轮的高度和水洗管的位置保证片子在传送过程中无偏移．如果发生偏移会产生碎片． * 调节滚轮１的速度小于滚轮２的速度，如果生产不赶产量，则尽量让生产人员放片子不要太急，拉大片间距，这样片子进出设备较均匀，不易产生叠片等现象． 片子之间距离2cm * 工艺人员在日常正常生产过程中，如果发现机器碎片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。 七、前后清洗十项影响效率、 良率(或特定电参数)的原因 A.片源不同 这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、边皮料、金属硅、复拉料、重掺杂等等）以及晶体大小不同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切割片的线痕过大会造成过刻等。 预防措施： 1集中投片配合工艺对药液的调节 2每批产品测量刻蚀重量是有超规范 B.药液浓度的稳定性 包括药液补加量的准确程度，药液的挥发，工艺参数的设置等。 预防措施： 1.设备带料不生产时把药液排到TANK槽中 2.控制稳定的温度 3.测量硅片反射率是否超规范 4.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器 C.温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀量的不同，进而导致电性能的波动。 预防措施： 1.设备定期检查cool是否正常 2.设备端进行温度SPC监控 3.工艺每天检查温度趋势 4.测量硅片反射率是否超规范 5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 D.设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行，进而出现脏片。 预防措施： 1.设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。 2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口 3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口 4.对于碱槽，当设备待料超过15分钟时必须冲洗喷淋及风刀 E.过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从而影响效率及良率 预防措施： 1.调节排风或降低流量或提高速度 2.设备端安装排风监控表，并每天检查 3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板 4.药液浓度异常，需调节浓度 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器 F.设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等，最终影响效率 预防措施： 1.设备PM时定期检查 2.工艺及时反馈刻蚀状况 G.设备PM彻底性和细化 PM进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，如滤芯的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等；碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。 预防措施： 1.要求设备PM之前必须冲洗各个槽滚轮，且在PM后工艺端检查是否做到位，看碎片是否清洗干净，滚轮是否安装好等 H.测量仪器的短缺 测量仪器的短缺会造成测量不能及时进行，产品质量不能保证，甚至导致生产大量不良片后才发现。至少保证每两台机器有一台测量仪器（电子天平和绝缘电阻测试仪）。 预防措施： 1.设备定期检查测量仪器是否完好，准确 2.校正部门应定期校正测量仪器 3.应给每台设备配备测量仪器 I.工艺规定和要求执行的不彻底 1.主要包括新换药液后和待机一段时间后跑假片，假片跑不够，就会出现滚轮影或刻蚀量不够； 2.片源不足时集中投放，不然前清洗容易出现刻蚀量不均匀，后清洗容易出现过刻； 3.清洗后的片子放置时间控制，硅片表面氧化，影响后面效率良率； 4.待料时滚轮不及时冲洗，容易出现碱槽喷淋风刀盐结晶堵塞，导致出现脏片和 水洗1槽滤芯盐结晶堵塞，出现流量低，从而出现脏片等。 预防措施： 1.培训员工了解工艺规范 2.建立考核制度 3.工艺设备加强检查生产的执行情况 J.员工的操作不当、质量意识