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- 2018-07-02 发布于贵州
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光电成像与51522课件
第五章 光电成像与成像系统 ;;5.1 光电成像系统概述;一、光电成像器件的发展;;二、光电成像器件的类型;三、光电成像系统要研究的问题;;光电成像系统基本组成;;5.2 图像探测器简介;特点:能够输出可视图像信息;1. 真空成像器件;;常见像管-变像管;红外变像管的应用;;选通式变像管;常见像增强管;第三代像增强器
第二代微通道结构配以负电子亲和势光电阴极,就构成了第三代像增强器。
X射线像增强器
实质:变像管
作用:将不可见的X射线转换成可见光图像,并使图像亮度增强;摄 像 管;;;摄像管的结构和工作原理;2. 固 体 成 像 器 件;;基本结构:转移电极结构、转移沟槽结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。
构成CCD的基本单元:CMOS电容
CCD类型:
表面沟道CCD(SCCD):电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输;
体沟道CCD(BCCD):电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内,并在半导体体内沿一定方向传输。;MOS电容器组成的光敏元及数据面的显微照片;;CCD的基本工作原理;;一、电荷存储;ФS;ФS;u0;二、电荷耦合;2V;;三、电荷的注入&检测;U+;;ID;2、电荷的检测;由反向偏置二极管收集信号电荷来控制A点电位的变化,直流偏置的输出栅极OG用来使漏扩散&时钟脉冲之间退耦,由于二极管反向偏置,形成一个深陷落信号电荷的势阱,转移到Ф2
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