GaN_SiHEMT的电学特性试和可靠性测.docVIP

PAGE PAGE \* MERGEFORMAT13GaN/Si HEMT的电学特性测试和可靠性测试摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应管的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为原来的1/x。在CMOS进步到45nm时代以后，传统的SiO2栅介质的厚度将被需要缩减到相当薄的程度，这会使得SiO2层的栅泄漏电流在显著的量子隧穿效应影响下大到不可接受，器件的可靠性也会成为一个相当严重的问题。当厚度无法再减小时，为了提高栅电容，唯一的办法就是提高介质的相对介电常数。本文选择HfO2高K栅介质作为研究对象，通过电学特性测试，即C-V，I-V图谱分析，来阐释其栅漏电流机制。同时综述了高k栅介质可靠性的研究现状，对恒压应力与恒流应力和高k击穿特性进行了探讨。我们的研究结果有助于进一步了解HfO2栅介质的泄漏电流机制和SILC效应的特征，为进一步优化HfO2高K栅介质的制备工艺提供指导。同时发现高K栅介质结构的TDDB击穿不仅是应力电压极性依赖的，而且是应力电场依赖的。关键词：高k栅介质 栅极漏电流 HfO2 击穿机制 应力感应电流Study on electrical property and reliability of HEMT on GaN/SiAbstractAlong with the developm