7第七章 气沉积技术.pptVIP

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  • 2018-07-07 发布于浙江
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7第七章 气沉积技术

5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 6 碳化反应:?????? TiCl4 + CH4 --- TiC + 4HCl 7 歧化反应:???? ?? 2SiI2 --- Si + SiI4 8 合成反应:? ? (CH3)3Ga + AsH3 --- GaAs + 3CH4 9 基体反应:? ? ? Ti + 2BCl3 + 3H2 --- TiB2 + 6HCl 5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 10 等离子体激发反应: 用等离子体放电使反应气体活化,可以在较低温度下成膜。 11 光激发反应: 如在SiH-O2反应系中使用水银蒸气为感光物质,用紫外线照射,可在100℃左右制备硅氧化物。 12 激光激发反应: 如有机金属化合物在激光激发下有 W(CO)6 --- W + 6CO 化学气相过程 5.1、化学气相沉积原理 反应气体扩散至工件表面; 1 反应气体分子被基材表面吸附; 2 在基材表面产生化学反应,形核等; 3 生成物由表面解吸; 4 生成物从基材表面扩散离开。 5 ①将反应气体及其稀释剂通入反应器,并能进行测量和调节; ②能为反应部位提供热量,并通过自动系统将热量反馈至加热源,以控制涂覆温度。 ③将沉积区域内的副产品气体抽走,

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