ch21晶体管的结构、性及参数.pptxVIP

2.1　晶体管的结构、特性及参数 2.1.1 晶体管的结构与电流放大作用 2.1.2 晶体管的伏安特性曲线 2.1.3 晶体管的主要参数 2.1.4 晶体管的使用常识 一、晶体管的结构与类型 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 PNP 型 分类 按材料分 硅管、锗管 按结构分 NPN、PNP 按使用频率分 低频管、高频管 按功率分 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 1 W 二、晶体管电流放大原理 1. 晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 输入 回路 输出 回路 IE IB IC 发射结正偏 集电结反偏 UCB0集电结反偏 + - UBE0发射结正偏 2. 晶体管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 　　以小电流（IB）控制大电流（IC）的作用，称为晶体管的电流放大作用。 一、输入特性曲线 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6  0.8) V 锗管： (0.2  0.3