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气态源分子束外延AlxGa1-xAs(x=0～1)材料中Si的掺杂行为研究
气态源分子束外延AlxGa1-xAs（x=0～1）材料中Si的掺杂行为研究第26卷第1期
2007年2月
红外与毫米波
J.InfraredMillim.Waves
Vo1.26,No.1
February,2007
文章编号:1001—9014(2007)01—0001一o4
BEHAVIoRoFSiINCoRPoRATIoNIN
AlxGal一
As(=0TO1)GROWNBYGAS
SoURCEMoLECULARBEAMEPITAXY
LIHua,LIAi.Zhen,ZHANGYong.Gang,QIMing
(1.StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics,ShanghaiInstituteofMicrosystemand
InformationTechnology,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200050,China;
2.EastChinaNormalUniversity,Shanghai200062.China)
Abstract:ThedopingbehaviorofSiinA1GaAswithAlAsmolefractionfrom0to1wasreported.Si-dopedA1GaI-Aslay-
ersweregrownbygassourcemolecularbeamepitaxywithaconstantSicelltemperatureforallsamples.Theelectrical
propertiesandcompositionoftheternaryalloyswerecharacterizedbyHalleffectandX—raydiffraction,respectively.Re-
suitsshowthattheelectronconcentrationofSi-dopedA1Gal一
AsvaryingwithA1molefractionhasaminimumvalueatX
0.38,whichistheF—Xdirect-indirectbandcrossoverofA1GaAssystem.TheHallmobilitydecreaseswiththeincreasingof
ALAsmolefractiontmaboutX:0.4.hereafteritremainsatalowvalueofmobilitythsmallchangerate.
Keywords:gassourcemolecularbeamepitaxy;AIGa1.
As;Si-doped;electricalproperties;composition
CLCnumber:Document:A
气态源分子束外延AGa1一As(=0—1)材料中
Si的掺杂行为研究
李华,李爱珍,张永刚,齐鸣
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;
.
2.华东师范大学信息学院,上海200062)
摘要:研究了sj在AlGa.一As(O≤≤1)中的掺杂行为.为比较组份对si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外
延生长(GSMBE)掺Sin型Ga.一As(0≤≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测
量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用x射线双晶衍射迫摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当A1Ga.一
As中A1组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×10cmI3降至7.8×10cm一.电子迁移率从1900cm/Vs降
至100cm/Vs.这与AI,Ga.一As材料的厂-直接一间接带隙的转换点十分吻合.在Ga..As全组份范田内,自
由载流子浓度随Al组份从0至1呈”V”形变化,在X:0.38处呈最低点.在Xgt;0.4之后,.Ga.一As的电子迁
移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.
关键词:气态源分子束外延;A1GaAs;Si掺杂;电学性质;组分
Introduction
A1GaAsisthemoststudiedandthemostwidely
used111-Vsemiconductor.BinaryGaAsandAlAsare
almostlatticematched,SOA1GaAsternaryalloyis
quitesuitableforepitaxialgrowthonGaAssubstrate
andiswidelyusedinoptoelectronicandhigh-speede-
lectronicdevices.Applicationsrequirehishquali~n-
Receive
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