(实用模拟电子技术教程课件)第3章半导体场效应管.ppt

实用模拟电子技术教程 第一篇 常用半导体器件 介绍常用半导体器件，包括晶体二极管、晶体三极管、场效应管和其他半导体器件的结构、工作原理、分类、主要性能指标、国家标准规定的命名方法以及主要应用。 第一篇 常用半导体器件 第3章半导体场效应管 学习要求： 了解场效应管的分类；掌握结型场效应管的结构、输出特性曲线可变电阻区、恒流区和夹断区的划分以及夹断电压、饱和漏极电流和跨导等主要参数的定义；掌握N沟道增强型绝缘栅场效应管输出特性曲线三个区域的划分和开启电压、跨导等主要参数的定义；了解上述两种场效应管漏极电流和栅-漏极电压之间的关系；学会根据栅极电压及夹断电压（开启电压）求解漏极电流的方法。 3.1 场效应管的分类 场效应管分为两大类： 3.1 场效应管的分类 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 1、结构 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 2、空间电荷区的两个性质 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 3、场效应管工作原理 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 3、场效应管工作原理 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 为什么空间电荷区的扩大是不均匀的？ 3.2 结型场效应管-3.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 3、场效应管工作原理 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 场效应管的共源极接法： 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 特性曲线识读： 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 特性曲线识读： 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 特性曲线识读： 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 3.2 结型场效应管-3.2.2 结型场效应管特性曲线识读 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.2 结型场效应管-3.2.3 结型场效应管的主要参数 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.1结构和工作原理 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.2 特性曲线识读 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.2 特性曲线识读 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.3 主要参数 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.3 主要参数 3.3 N沟道增强型场绝缘栅效应管- 3.3.3 主要参数 3.4 VMOS场效应管 3.4 VMOS场效应管 3.4 VMOS场效应管 3.4 VMOS场效应管 第3章讲授到此结束 谢谢大家！ 与N沟道增强型MOS管的情况类似，在栅极-源极之间加正电压，当这一电压UGS大于某一电压（称为开启电压UGS(th)）时，栅极带正电荷，排斥P区的空穴，并吸引电子，在P区靠近V型槽氧化层表面的地方会形成反型层为VMOS管的导电沟道。栅极电压通过导电沟道的调节控制漏极电流，于是就实现了栅极电压对于漏极电流的控制。 2、工作原理 VMOS管从原理上看，也是利用栅极的正电压形成电子组成的反型层作为导电沟道，栅极电压通过导电沟道的调节控制漏极电流，这和N沟道增强型MOS管相同 不同的是N沟道增强型MOS管的导电沟道沿着衬底的表面，是很薄的一层，因此通过的电流比较小；VMOS管的导电沟道沿垂直方向，能流过很大的电流，而且漏极从N+型衬底引出，散热面积大，便于安装散热器，其耗散功率最大可以达到几千瓦。 VMOS管与N沟道增强型MOS管比较 注意其纵轴漏极电流iD的单位是安培，横轴漏-源极电压uDS也较高，达100伏，因此有较大的功率。 3、特性曲线及主要参数 除了耗散功率大以外，VMOS管的另一个特点是，当漏极电流大于某个值（例如500mA）以后，iD与uDS基本呈线性关系。N沟道MOS管的特性曲线，其漏极电流iD与漏-源极电压uDS的关系是平方关系。 VMOS管的主要参数有