SCR特性与应用.docVIP

SCR的特性與應用一、實習目的＜一＞.了解SCR之構造與特性＜二＞.了解SCR之di/dt與dv/dt的抑制＜三＞.了解SCR導通與截止＜四＞.SCR閘極觸發模式與保護＜五＞.定義導通角與激發延遲角＜六＞.判別SCR三端之方法?二、相關知識一. SCR之構造與特性 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 為矽控整流體之稱，是一種四夾層P-N半導體之元件。它能夠耐受較高之電壓及較大之湧浪電流，是一種良好的高功率元件。由於SCR發展已相當悠久，使用範圍廣、壽命長、可靠度佳、速度快及體積小、不須經常維護及消耗功率低等優點，比傳統的機械式開關優越，因此廣泛的使用於工業控制設備，此外其價格也比一般功率晶體便宜及不易燒毀等許多優點，目前仍有競爭優勢。本實驗即探討如何使SCR正常的動作及防止SCR之誤動作。(a) (b) (c)圖1.1 SCR (a) 符號 (b) 內部構造 (c) 等效電路 ?SCR為三端元件，其構造與符號如圖1.1所示，其三端分為A(陽極)，G(閘極)，K(陰極)。它的內部架構是由四層半導體組成，A接於外上層P型半導體，K極接於外下層N型半導體，而G極則接於內層P型之半導體上，而其等效電路如圖1.1（C）所示，它是由PNP與NPN兩電晶體組成，若在”AK”極間加上正電壓，此時由於內部PN接面反向偏壓，所以只存在一個小的漏電電流，此時SCR截止。若此時在閘極加入一正電壓，而產生閘極電流I，由等效電路中，可看出I之流入將成為NPN電晶體的基極電流I，它可使它的集極電流I加大，且因NPN電晶體之集極，接到PNP電晶體之基極，因此PNP電晶體之基極電流I隨著I而增大，使得PNP電晶體之集極電流Ic1亦加大，而此集極又接於NPN電晶體之基極，因此，又將增加PNP電晶體之基極電流，如此下去，SCR “AK”兩端便能快速導通，SCR之陽極電流為: 1.1 其中I與I分別為PNP與NPN電晶體之漏電流,而a1與a2則分別為它們的傳輸參數，由（1.1）式中可以看出當a1+a2近似於1時，I將大大的增加，即進入導通狀態，這是SCR自我保持的現象，由於這種特性，所以SCR很容易由小電流來控制大的電流，若要再次使SCR截止，就比較困難，除非使I下降，使迴路之增益小於1，才可能截止SCR。? IG1 IG2 IG3 圖1.2 特性曲線圖1.2所示為SCR之特性曲線，由特性曲線中可以看出，當SCR處於逆向偏壓時(VAK0)，只有一個很小的漏電流，但當逆向電壓大於PRV電壓時，電流快速上升，SCR崩潰，此時SCR將被破壞。當電壓順向偏時(VAK0)，順向電壓小於V，電流亦很小，直到順向電壓大於V時，則”AK”兩端電壓迅速下降，SCR處於導通狀態，導通狀態之SCR要使它截止其端電壓必須使”AK”間之電流降到維持電流(IH)以下。當有閘極電流存在時，則轉態電壓V將大大減少， 閘極電流愈大，V降到愈小，所以可用閘極電流來控制SCR之導通電壓。?二.SCR之dv/dt與di/dt的抑制:當閘極脈波加到SCR的瞬間，導通範圍僅限於閘極附近的一小區域開始導通之陽極電流亦集中於此區域，SCR之導通的延伸速率約為每100uS延伸1cm，當陽極電流上升率(di/dt)大於或遠大於導通區域之增加率，則此一區域將會形成高功率密度，產生局部熱點，若此溫度點之熱度超過SCR之最高容許溫度，這將會使SCR造成永久的破壞，因此陽極電流導通後電流之上升率di/dt必須被限制，通常廠商都會給最大di/dt(A/ms)額定值，有許多工業負載，如馬達、變壓器等，它們均呈現電感特性，因L/R的時間常數存在。所以可限制陽極電路的電流變化率，如果負載電阻性相當高，且在高壓下導通SCR，將會因SCR之陽極電流上升時間過短而使di/dt值過大，因此需在負載電路上多加一個電感器，如圖1.3所示，以增加上升時間，減少di/dt產生熱效應，由圖中可看出，我們藉由在陽極支路上串聯一電感器，當SCR導通以後，其電流之變化率將受到此一電感器之限制，而避免di/dt之破壞，另外也可由改善閘極構造和陰極幾何形狀來避免di/dt之破壞。?圖1.3利用串聯電感抑制di/dt 然而在實際應用上，大都利用加連接電線之長度，以增加線上的電感，而不再線路上串接電感器。由於”AG”間有一雜散電容存在，順向電壓上升率dv/dt若太大，則將產生一個dv/dt之漏電流由陽極到閘極，因而產生閘極電流，使V下降，SCR就會誤導通。在工業控制電路中的變壓器，馬達等電感性負載，其瞬間所產生的反電動勢，將足以