第五讲 常用半导体器件.pptVIP

PN结单向导电性 PN 结形成 PN结单向导电性 5.2 半导体二极管 一．二极管的构成与特性 二极管图片及符号 二．二极管伏安特性 3.温度对二极管伏安特性的影响： 四．二极管基本电路及其分析方法 理想二极管：正向时UD=0导通，反向时截止 例: 1 例: 2 例3： 例4： 恒压降二极管分析 五、特殊二极管 1.稳压二极管 稳压二极管主要参数 稳定电压UZ：指稳压管反向电流为规定值时稳压管两端的电压，如2CW18，稳压管稳压值为10~12V 。 稳压二极管稳压电路 稳压（限流）电阻的计算（输入电压不变） 2.变容二极管 3.光电二极管 4.发光二极管 例 例 5.3晶体三极管（Bipolar Junction Transistor） 一、BJT的结构、类型与电流放大原理 三极管的电流放大原理 ： 1、三极管内部载流子的运动 2、各级电流之间的关系 2.输出特性曲线 四、晶体管的主要参数 反映三极管各极电压和电流之间的相互关系的曲线。 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验电路(共发射极接法) C B E RC 三、三极管的共射特性曲线 1.输入特性曲线： UCE为常数时，IB 与UBE的关系曲线（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V左右 指基极电流IB一定时，集电极电流IC与UCE之间的关系曲线。 三个工作区域：放大区、截止区、饱和区 开关特性 数字电路 模拟电路 从输出特性曲线可以划分为三个区 下面就对它的三个工作区进行分析 PN结特性 空穴 自由电子 扩散运动：浓度差而产生载流子运动 内电场的形成：扩动散运动形成界面二端P区留下不能移动的负离子而N区留下不能移动的正离子 内电场方向 + - 内电场的作用：阻碍多子扩动散运动，有利于少子漂移运动 扩动散运动与漂移运动达到平衡形成PN结 PN结 ︷ PN 结形成 PN结正向偏置：P接正极，N接负极 PN结导通且PN结电压较小（硅0.7V,锗0.3V) 耗尽层变窄形成较大正向电流 扩散电流加大，扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 PN结反向偏置：P接负极，N接正极 耗尽层变宽形成很小反向饱和电流 PN结截止 总结： PN结正偏导通 PN结反偏截止 反向饱和电流由少数载流子形成 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图所示。 (1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 二极管的结构示意图 (c)平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— (b)面接触型 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 D 端电压 温度的 电压当量 反向饱和电流 电流 开启电压 正向特性为指数曲线 反向电流为常量 Uon 1．正向特性Uon：死区的开启电压，硅管的Uon约为0.5V，锗管的Uon约为0.2V。正向导通电压：硅管为0.7V，锗管为0.2V 2．反向特性：内外电场方向相同，阻碍扩散运动，有利于漂移运动UBR:反向击穿电压 T（℃）↑→在电流不变情况 下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移， 反向特性下移 Uon U(BR) 温度每升高10C，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高100C，反向电流约增大一倍。 三．二极管的主要参数 1.最大整流电流IOM： 2.最大反向工作电压URM ： 3.反向电流IR：反向饱和电流 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 4.正向压降UF： 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 ui 0.7V i 恒压降：正向时UD=0.7导通，反向时截止 ui i 分析方法：1 、选择参考电位；2 、假设D截止； 3、进一步判断D上正负极电位 ui t T/2