ITO 透明导电薄膜的射频磁控溅射制备.PDFVIP

第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报 ３８ ３ Ｖｏｌ．３８Ｎｏ．３ 　 　 　 　 　 　 　 年 月 　　　　　　　　　　　 ’ 　　　　　　　　　　　 ２０１８ ６ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｎＴｅｃｈｎｏｌｏｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ Ｊｕｎ．２０１８ ｇ ｙ ： ／ ＤＯＩ１０．１６１８５ ．ｘａｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ．２０１８．０３．００７ ｊｊ ＩＴＯ透明导电薄膜的射频磁控溅射制备 丁景兵，蔡长龙，邵 雨 　 （西安工业大学 光电工程学院，西安 ７１００２１） 摘 要： 为保证氧化铟锡（ ）薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率，通过射频磁控溅 ＩＴＯ 　 　 射在光学玻璃基底上制备了ＩＴＯ薄膜，采用分光光度计和四探针测试仪测试了ＩＴＯ薄膜电 阻率和在可见光范围内的透过率， 射线衍射（ ）测试薄膜晶相结构 研究基底温度、氧气 Ｘ ＸＲＤ ． 和氩气流量比和退火时间等工艺对 薄膜光电特性的影响 研究结果表明：在氧气和氩气 ＩＴＯ ． 流量比为 、基片温度 、溅射功率 、 退火 条件下，沉积的 薄 １∶９９ ２００℃ １５０Ｗ ２５０℃ ６０ｍｉｎ ＩＴＯ 膜厚度约为 ， 薄膜光电特性最佳，电阻率为 －３ · ，可见光范围内峰 １．４ ｍ ＩＴＯ ３．４２×１０ Ω ｃｍ μ 值透过率为８９．２７％． 关键词： 射频磁控溅射；快速热退火； 薄膜；光电特性 ＩＴＯ 　 中图号： 文献标志码： 文章编号： （ ） Ｏ４８４．４ Ａ １６７３９９６５２０１８０３０２２６０６ 　 　　　　 　 　 犘狉犲犪狉犪狋犻狅狀狅犳犐犜犗犜狉犪狀狊犪狉犲狀狋犆狅狀犱狌犮狋犻狏犲犉犻犾犿狊犫 犚犪犱犻狅 狆 狆 狔 犉狉犲狌犲狀犮犕犪狀犲狋狉狅狀犛狌狋狋犲狉犻狀 狇 狔 犵 狆 犵 ， ， 犇犐犖犌犑犻狀犫犻狀 犆犃犐犆犺犪狀犾狅狀 犛犎犃犗犢狌 犵 犵 犵 犵 （ ， ’ ， ’