光刻胶污染掩膜板-icaredbd.PPT

Your company slogan 光刻工艺流程 宋世巍 2011.09.06 目的与原理 目的：主要是将掩膜板上的图形复制到基片上，为下一步进行刻蚀或者电极蒸镀等工序做好准备。 原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合行技术，它采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确的复制在有涂有光刻胶的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光刻胶发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂或碱溶液中，未受光照射的部分光刻胶不发生变化，很容易被某些有机溶剂溶解。然后利用光刻胶的饱和作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。 光刻胶 光刻胶的成分： 聚合物 溶剂 感光剂 添加剂 聚合物 聚合物是由一组大而且重的分子组成，包括碳、氢和痒。对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。受光照部分产生交链反应而成为不溶物 正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。 在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应。受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解 溶剂 光刻胶中容量最大的成分是溶