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光的偏振性及应用课件
单轴晶汇聚偏光等位相差条件 由关系 知,等位相差条件为 将已知关系 代入等位相差条件,得 位相差和空间坐标的关系 将 将此位相差代入干涉光强,得到 代入 单轴晶片汇聚偏光干涉图样 (a)?1-?2=?/2时的光强,(b)?1=?2时的光强 (a) (b) 电光效应 由电场引起的折射率变化称电光效应 设外电场E沿主对称轴方向施加在晶体上,这时电位移D与E方向一致,改变E的大小,可得D-E曲线,该曲线可写成关系式 D E 电光效应曲线 ?0 折射率与电场 定义介电系数为 写成折射率形式 在n+n0?2n0的近似下,折射率为 泡克尔斯效应和克尔效应 aE是一次项,由它引起的折射率变化(n-n0)称为一次电光效应,也称线性电光效应或泡克尔斯效应(Pockels effect) bE2是二次项,由它引起的折射率变化称为二次电光效应,或克尔效应(Kerr effect) 有对称中心的晶体无线性电光效应 KDP晶体的泡克尔斯效应 KDP是单轴晶,设其光轴沿z轴方向,其折射率椭球方程为 加工此晶体,使得光波入射和出射晶体的两个端面与光轴垂直,并在两个端面上镀一层透明电极,在两极间沿光轴方向施加强电场Ez,若KDP晶体的电光系数为?,则此时的折射率椭球方程为 KDP晶体的折射率椭球方程 在xy平面内将旧坐标系旋转?角度得到新坐标x’ y’ z’,可推出新坐标中的折射率椭球方程 式中 折射率椭球方程的分析 折射率托球方程说明,加电压的KDP是一个双轴晶,沿x’和y’振动的两个线偏光的折射率差为 从起偏器射出的线偏光进入晶体后,将分解为两束线偏光,一束光矢量平行于x’ 轴,另一束光矢量平行于y’轴,经过长度为d的晶体后,两光束的位相差为 纵向泡克尔斯效应 U=Ez?d是外加电压,其方向和光的传播方向一致,称为纵向泡克尔斯效应 。从检偏器P2出射的光强为 P2 P1 x x y y z d 半波电压 要使得?=?,需要外加电压达到 此电压称为半波电压,显然,?越大,U?越小,越有利于应用 纵向泡克尔斯效应的特点 不加电压时,光沿光轴传播,没有双折射 要用透明电极 位相差只与外加电压有关,与晶体的几何尺寸无关 横向泡克尔斯效应 外电压方向与光的传播方向垂直所产生的效应称为横向泡克尔斯效应 重新加工晶体,让入射和出射端面与y’z面重合,入射和出射面间距为d,沿z截取厚度为h的两个x’y’面,在这两个x’y’面上施加外电压 P2 P1 x y z KDP横向泡克尔斯效应实验 h d U 横向泡克尔斯效应引起的位相差 从P1透射的线偏光进入晶体后分解为沿y’和沿z振动的两个分量,其折射率分别为 经过d长度的晶体后,位相差为 横向泡克尔斯效应的特点 光波传播方向与外电场方向垂直 不需要镀透明电极 位相差与晶体尺寸d/h有关,可通过提高晶体的几何尺寸比例d/h来降低U? 存在自然双折射引起的位相差,电光效应易受温度影响 几种晶体的电光系数和半波电压 晶体 ?(10-12m/V) no U?(kV) ADP(NH4H2PO4) 8.5 1.52 9.2 KDP(KH2PO4) 10.6 1.51 7.6 KDA(KH2AsO4) ?13.0 1.57 ?6.2 KD*P(KD2PO4) ?23.3 1.52 ?3.4 克尔效应 电场引起的双折射与电场强度的平方成正比,就是克尔(或二次电光)效应 P2 P1 硝基苯(C6H5NO2)克尔效应实验 U 电介质材料 克尔效应引起的折射率差 在垂直于光波传播方向施加高电压,在外电场作用下,电介质分子规则排列,表现出单轴晶那样的光学性质,光轴的方向就是电场的方向。线偏光进入介质后,分解为两束线偏光,一束沿外电场方向偏振,另一束垂直于外电场方向偏振,两者的折射率之差为 式中,?是该介质的克尔系数 克尔实验的输出光强 设光通过介质的长度为d,两电极之间的距离为h,两电极之间所加电压为U,则两正交偏振光的从介质出射时的位相差为 若起偏器的透光轴与检偏器的透光轴正交,且与外加电场成45?角,出射光强为 一些物质的克尔系数 (室温下,?=0.5893?m) 物质 ?(10-12cm?V-2) 物质 ?(10-12cm?V-2) C6H6 0.7 H2O 5.2 CS2 3.5 C5H7NO2 137 CHCl3 -3.9 C6H5NO2 244 旋光现象 有些晶体(如石英),线偏光通过时振动面会转动,这就是旋光现象 有些非晶体物质(如糖溶液)中,也有旋光现象 石英晶体 光轴 旋光现象的性质 对一定波长的光波,振动面旋转的角度?与晶片的厚度d成正比,即?=?d。? ?晶片旋光率 ?是波长的函数?旋光色散 旋光有右旋和左旋之分 旋光性与光的传播方向
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