功率场效应晶管绝缘栅双极型晶体管.pptVIP

第一章 电力半导体器件 1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3 可关断晶闸管(GTO) 1.4 电力晶体管(GTR) 1.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 1.7 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护 1.5 功率场效应晶体管—全控型 1.5.1 P-MOSFET的结构与工作原理 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 1.5.4 P-MOSFET的安全工作区 1.5.5 P-MOSFET的门极驱动电路 1.5 功率场效应晶体管—全控型 分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理 P-MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型。 功率MOSFET的芯片内部结构 1.5