非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译高温退火降低多晶硅太阳能电池材料中位错密度.docVIP

高温退火降低多晶硅太阳能电池材料中位错密度 我们提出并证明了一种可以消除影响多晶硅太阳能电池性能的微错缺陷的方法，它适合晶片或者是铸锭。通过高温退火并控制气氛和实践温度关系，可以使质量低劣的多晶硅中位错密度降低至少95%.,位错密度的降低符合由kuhlmann和（发明者，物理学家，社会学家，伦敦，九月，（A 64,140(1951)）和Nes（43，2189（1995））发明的依温度变化的图表。当退火温度〉1170℃进行高温退火可以使位错沿着晶粒的滑移面自由移动，以至于位错在几分钟内消失。 当前多晶硅太阳能电池生产占全球太阳能电池生产将近50%的份额。遗憾的是，低寿命少数载流子得不均分布区域是多晶硅太阳能电池材料的一个重要缺点。因为生产太阳能电池的各部分都是电连接的，运作的区域制约着整个仪器的运转，并且制约着高效仪器系统的执行程序。工业生产多晶硅太阳能电池转化率在14.5-16.5%，但是通过消除低劣的区域和改善高效率系统可以使转化率范围在18-22%。这样的效率加上生产多晶硅太阳能电池的低成本，在可以达到的条件下可以进行大规模的生产并具有市场竞争力。 结构缺陷像晶界和位错，是导致多晶硅太阳能电池出现坏区域的主要原因之一，因为他们会造成硅片中有大量碎硅片存在，经历中的位错对少数载流子的重组影响显著。怀区域中位错密度在104-106之间。这种高位错密度可以显著降低整个电池的转化率，