半导体物理0527第5章.ppt

5.5 陷阱效应 实际上的陷阱效应往往是少数载流子的陷阱效应。 最有利于陷阱作用的能级位置与平衡时的费米能级相同。 对于电子陷阱，费米能级以上的能级越接近费米能级，陷阱效应越显著。 电子落入陷阱后，基本上不直接与空穴复合，而是首先激发到导带，然后才能在通过复合中心复合。因此陷阱的存在大大增长了从非平衡态到平衡态的弛豫时间。 5.5 陷阱效应 5.5 陷阱效应 以p型材料为例 * * §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 ⑷空穴的产生过程（d） 价带中的电子只能激发到空着的复合中心上去。在非简并情况下，价带基本上充满电子，复合中心上的空穴激发到价带的几率sp与价带的空穴浓度无关。因此，空穴的产生率Gp可以表示为 　在热平衡情况下，空穴的产生率和俘获率相等，即 这里，p0是平衡空穴浓度： 于是， §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 其中， p1恰好等于费米能级EF与复合中心能级Et重合时的平衡空穴浓度。所以， 上面讨论的a和b两个过程，是电子在导带和复合中心能级之间的跃迁引起的俘获和产生过程。于是，电子－空穴对的净俘获率Un为 过程c和d可以看成是空穴在价带和复合中心能级之间的跃迁引起的俘获和产生过程。空穴的净俘获率Up为 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 2. 寿命公式 稳态时, 各能级上电子或空穴数保持不变。必须有复合中心对电子的净俘获率Un等于空穴的净俘获率Up，也就是等于电子-空穴对的净复合率U， 于是，有 解得 带入上式 利用n1p1=ni2，则： §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 引入 可将上式表示为： 利用关系式 并假设 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 可见，小注入时，寿命只取决于n0，p0，n1和p1的值，而与非平衡载流子的浓度无关。实际情况常常只需考虑浓度最大者。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 3. 寿命随载流子浓度的变化 现在我们在复合中心的种类及其浓度不变的情况下，讨论 强 N 弱 P 弱 N 强 P （分四个区域） §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 而Nc和Nv数值接近，则 分别由（EC-EF)、(EF-EV)、(EC-Et)、(Et-EV) 决定,当EF在禁带中变化时， 则此寿命公式中，可只保留最大项。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 ⒈强N型区 费米能级EF在Et和导带底Ec之间（EtEFEc），这时，n0p0，n1，p1于是， 即寿命是一个与载流子浓度无关的常数，它决定于复合中心对空穴的俘获几率。在这种情况下，复合中心能级Et在EF之下，只要空穴一旦被复合中心能级所俘获，就可以立刻从导带俘获电子，完成电子-空穴对的复合。 ⒉弱N型区（高阻区） 费米能级EF在本征费米能级Ei和Et之间（EiEFEt），这时， n1 n0p0p1 ，于是 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 在这种情况下，寿命与电子（多子）的浓度n0成反比，越接近本征区，与空穴复合的电子数目越少，寿命则越长。 ⒊弱P型区 费米能级EF在本征费米能级Et′和Ei之间（Et′EFEi），这时， n1 p0 n0 p1 ，于是 这时，寿命与空穴（多子）的浓度p0成反比，越偏离本征区，与电子复合的空穴数目越多，寿命则越短。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 ⒋强P型区 费米能级EF在价带顶Ev和Et′之间（EvEF Et′ ），这时， p0 n0 ，n1，p1于是， 即寿命是一个与载流子浓度无关的常数，它的数值由复合中心对电子的俘获几率来决定。 当Et在禁带下部时，只是在高阻区的寿命变为 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 4. 寿命与复合中心能级位置的关系 复合中心能级Et在禁带中的位置不同，它对非平衡载流子复合的影响将有很大的差别。一般说来，只有杂质的能级Et比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 即复合中心的复合作用最强。此时，寿命达到极小值 当Et离开Ei而偏向Ec或Ev时，电子或空穴激发过程的几率增大，减弱复合作用。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 5. 寿命随温度的变化 对于一定的样品，当温度变化时，n0，p0，n1和p1都要随之改变，从而引起寿命的变化。设样品是N型的，复合中心能级Et在禁带的上半部，如图所示。下面我们根据寿命公式，分三个温度区讨论寿命随温度的变化。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 杂质电离区 饱和电离区 本征激发区 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 ⑴在温度较低时,随着温度的升高，费米能级EF从导带底附近单调下降,一直到它与复合中心能