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一铜E线简介及其产化过程之问题
研發處心得發表會 一銅新線簡介 及其量產化過程之問題與解決方式 Contents 壹、 Introduction of panel line Panel plating 與前後製程之關係 Panel plating 製程說明 新線設計特點與舊線之差異 新線設計特點與舊線之差異(續) Load/unload 等效電路說明 Cramp / IR sensor Anode/cathode cable 震動馬達電源與副槽設計 浮動式下遮板 酸銅鍍浴成分說明 新線優異之均勻性表現 貳、 Current status、 理論政策、Future expectation 問題點、理念政策與期望 影響孔銅品質之要因分析圖 影響光澤劑消耗量之要因分析圖 參、 Analysis Subject Analysis - The problem of throwing power Analysis - The problem of additive consumption 不同產地光澤劑對品質之影響 Theory analysis Theory analysis (continue) Theory analysis (continue) Theory analysis (continue) 肆、Plan 單槽qualify之TTS 伍、Do The influence of wetting agent DOE plan DOE plan (continue) The quality control issue DOE result DOE result The DOE parameter duplication experiments The additive consumption Qualify for one tank Result of qualify Result of qualify (continue) 150mil/11.8mil Result of qualify (continue) Result of qualify (continue) 陸、Check Action 柒、Conclusion 捌、Future plan Make up solution之主成分為二價鐵離子，其反應機制︰ 4Fe2++4H+ +O2 4Fe3+ +2H2O Fe2+ Fe3++ e- 陰極還原反應 Fe2+ Fe3++ e- 陽極氧化反應 Fe2+ + R-S-S-R + 2H+ 2Fe3++2R-SH 相關規範SOP修訂中。 目前光澤劑濃度均穩定控制。 11/30 於原料規範中加入進料產地檢驗。 鍍槽中加入make up solution SOP中加入鐵離子/硫醇含量監控及停線時間vs dummy時間之關係。 穩定控制光澤劑濃度 完成驗收 8/28 使用板厚120/150mil各三批均可達TTS要求。 單槽qualify 目前A/R~12.7其T/P可達70%以上 6/6 6/6 Acid dip加入Wetting agent。 進行DOE實驗求得最佳化濃度參數。 T/P 提升 STATUS ECD 說明 Plan Next3? 20 16 0.9 24 60 Low level 24 18 HL-L conc. (g/L) 10 10 Air agitation (m3/hr) 12 8 Stroke speed (stroke/min) 0.75 0.5 HL-B conc. (g/L) 60 40 Cu conc. (g/L) Result High level DOE parameter Fix parameter Current density：Board thickness 120/150 mil ? 10/8 ASF Copper tank temperature：23?1℃ Sulfuric acid：230 ? 10 g/L Stroke：? 40mm Vibration mode：10 sec on / 120 sec off , 60Hz. Experiment board： Panel size：16.8”×19.8” P/N-rev.：1290437-B Sampling plan ： 1panel/lot 6 units/panel 2 holes/unit(11.816mil) 16.8ft. 19.8ft Measure item： ※??? Corner flatten effect (CF) ＝ ※??? Side-to-side effe
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