3 半导体二极管及其基本电路汇总472.pptVIP

3.3.2 二极管的伏安特性 3. PN结方程（近似） 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（锗） 注 意 1. 死区电压（门坎电压） 2. 反向饱和电流 硅：0.1?A；锗：10?A * jjjkk 3.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB 硅二极管2CP10的V-I 特性 * jjjkk 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 二极管V- I 特性的建模 3.4.2 应用举例 5、应用电路分析举例 2、二极管状态判断 1、二极管电路的分析概述 3、图解分析法 4、等效电路（模型）分析法 讲课思路： * jjjkk 1、二极管电路的分析概述 应用电路举例 例3.4.2（习题3.4.12） 习题3.4.5 整流 限幅 习题3.4.6 初步分析——依据二极管的单向导电性 D导通：vO = vI - vD D截止：vO = 0 D导通：vO = vD D截止：vO = vI 左图 中图 显然，vO 与 vI 的关系由D的状态决定 而且，D处于反向截止时最简单！ * jjjkk 分析思路 分析任务：求v