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一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计 　　摘 要:提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120 ℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27 ℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm??2,适用于低压差线性稳压器等领域。 　　关键词:带隙基准源; 温度系数; 动态反馈补偿; CMOS 　　中图分类号:TN710 文献标识码:A 　　文章编号:1004-373X(2010)14-0007-03 　　 　　Design of a Novel CMOS Band-gap Voltage Reference with High Precision 　　NIU Zong-chao, YANG Fa-shun, DING Zhao, WANG Ji-shi, MA Kui, ZHANG Zheng-ping 　　(College of Science,Guizhou University, Guiyang 550025, China) 　　Abstract: A low-voltage low-power consumption reference source with standard CMOS technology is studied, whose ??operating?? voltage is 5~10V. The dynamic current feedback compensation is performed with equivalent resistance characteristic of saturated MOS for the PTAT current, and a band-gap reference circuit with output voltage of 1.3V is designed. The output reference voltage temperature coefficient of 7.427in -25~ 120 ℃, a PSRR up to 88dB at 27 ℃, the occupied chip ??area is ??0.022.????It is fit for the field of low dropout regulator and so on. 　　Keywords: band-gap reference; temperature coefficient; dynamic feedback compensation; CMOS 　　 　　0 引 言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数/模转换器、模/数转换器等电路中,基准电压的精度直接决定着这些电路的性能[1]。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小,但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中,所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种[2]。 　　近年来有研究指出[3],当漏电流保持不变时,工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性,带隙基准源所采用的基极-发射极结可以被工作在弱反型区的晶体管代替产生低温度系数的基准源[4]。文献[5]中提到采用该设计原理的基准源,利用0.13 μm工艺的低阈值电压NMOS管和衬底调整的PMOS管实现其中的放大器。本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理,通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流动态反馈补偿,基本实现了基准源的稳定要求。 　　1 带隙基准源的基本原理 　　带隙基准源可以在0～70 ℃的温度范围内有??10 ppm/℃??的温度系数[6]。由室温下温度系数为??-2.2 mV/℃??的PN结二极管产生电压为??V??BE??。同时也产生?┮桓霆?热电压??VT(??VT=??kT/q??),其与绝对温度(PTAT)成正比,室温下的温度系数[7]为??0.085 mV/℃,??则输出电压为: 　　 V???┆?REF????=V???┆?BE????+KV????T?? (1) 　　将式(1)对温度求导,用??V??BE??和??VT的温度系数求出理论上不依赖于温度的??K??值。为了达到所希望的性能,更详细地分析??V??BE??与温度的关系是必须的。带隙基准就是将负温度系数的电压与正温度系数的电压加权相加来抵消温度对输出电压的