Si3N4 钝化层对 LPNP 双极晶体管电离 辐射损伤的影响机理lowast;.PDFVIP

First Read 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 16 (2018) 168501 Si N 钝化层对LPNP双极晶体管电离 辐射损伤的影响机理 杨剑群 董磊 刘超铭 李兴冀 徐鹏飞 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001) ( 2017 年10 月9 日收到; 2018 年5 月23 日收到修改稿) 航天器中电子器件在轨服役期间, 会遭受到空间带电粒子及各种射线的辐射环境的显著影响, 易于造成 电离辐射损伤. 本文采用 Co 射线辐照源, 针对有/无Si N 钝化层结构的横向PNP 型(LPNP) 双极晶体 管, 开展了电离辐射损伤效应及机理研究. 利用KE