三极管基本知识.ppt

晶体管的几种常见外形 三极管的结构 为了说明三极管的电流放大作用，我们把三极管接成如图6-3的电路来做一个实验。当改变图中基极可变电阻RB，则基极电流IB，集电极电流IC，发射极电流IE都跟着发生变化，记录几组测量结果，列于表6-1中。 三极管的电流放大作用 实验数据可得如下结论： 三极管的电流放大作用 应用举例 二、输出特性 B E C B E C B E C 0.6V 3V 2.3V 0.7V 5V 4.3V B E C 12V 12V 11.2V 11.3V 11.5 11.3V 三、主要参数 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 一般作近似处理：? = * * 电子世界 你的世界 我的世界 温州市家电维修培训部——李老师 就业中心家电专业：李老师 (a)、(b)小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管 第五章 三极管放大电路 一、半导体三极管的结构---NPN管 第五章 三极管放大电路 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 B E C P P N 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 一、半导体三极管的结构----PNP管 NPN型 PNP型 符号: 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C NPN型 B E C PNP型 二极管检测 用数字万用表测试二极管时，是测量二极管的正向压降。测量时，把数字万用表拨在二极管档，然后用红、黑两表笔分别接触二极管的两根引线，当液晶显示屏上显示出0.6-0.8V的数值时，红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极。　　 如果把表笔反复调换，接触二极管的两根引线，液晶显示屏上始终显示0L，说明二极管是坏的(二极管内部断路);若测量时，液晶显示屏显示0v，则表示二极管内部短路。 三极管检测 万用表置于二极管量程，红笔接一极，黑笔分别接另外两级，若两次均通，测红笔接的为基极，数值大的为发射极，数值小的为集电极。该管为NPN管。 六测二通 万用表置于二极管量程，黑笔接一极，红笔分别接另外两级，若两次均通，测黑笔接的为基极，数值大的为发射极，数值小的为集电极。该管为PNP管。 二、三极管的工作电压 + VCC RC Rb VT 三极管两大作用：放大 开关 要使三极管能够起放大作用，其工作电源的接法必须是：发射结加正偏电压，集电结加反偏电压，并且反偏电压要高于正偏电压2倍以上。 图中，电源为12V，经Rb分压，基极为0.6V，经Rc分压，集电极为10V，发射极接地为0V。 这样，发射结正偏导通，正偏压为0.6V，集电结反偏，反偏压为9.4V，且反偏电压高于正偏电压2倍以上。三极管就可以工作在放大状态了。 NPN型三极管 RC Rb VCC + VT PNP型三极管 图中，电源为12V，经Rb分压，基极为11.4V，经Rc分压，集电极为3V，发射极接电源为12V。 这样，发射结正偏导通，正偏压为0.6V，集电结反偏，反偏压为8.4V，且反偏电压高于正偏电压2倍以上。三极管就可以工作在放大状态了。 二、三极管的工作电压 三、三极管的电流分配关系 NPN型 B E C PNP型 B E C IC IB IE IE IC IB IB、IC为流入电流 IE为流出电流 IE为流入电流， IB、IC为流出电流 根据基尔霍夫电流定律可知：流入电流等于流出电流 即： IE =IB + IC 图6-3 晶体管电流放大的实验电路 (1) (KCL) (2)三极管的直流电流放大倍数：集电极电流与基极电流的比值，记做β。 IC＝βIB 可见，直流电流放大倍数是个常数，它表示集电极电流随基极电流变化，是基极电流的β倍。 即： β为三极管的交流电流放大倍数，它表示集电极电流跟随基极电流变化，当基极电流有较小变化就可以引