ibis跟si仿真.ppt

Office Supplies Computers and Accessories Concept Art Documents Concept Art Concept Art Concept Art Concept Art Concept Art Computer Related Items Symbols VI 曲线: Pullup Pulldown POWER clamp GND clamp VT曲线: Rise waveform, Fall waveform 还有一些其它比较重要的信息比如Die capacitance: C_comp以及RLC package parameter。至于一些基本的输入以及使能信息会在软件设置自动生成，不需要我们多关注。对于于ibis模型长什么样子，大家去micron主页ddr2sdram模块下载几个io buffer看看是什么样。 希望你先看看长啥样再看下面的一些说明。 任何电路都可以用下面的模型（好像是Shannon 模型）来描述 Driver ----------interconnect---------Receiver 对于输出和I/O管脚需要I/V曲线和rise/fall 时间的信息， 而对于输入管脚 则只需要I/V曲线。 对于下述的4个曲线必须在3中情况下分别测量：最小工作电压值、典型的工作电压值和最大的工作电压值。所以这意味着我们最终得到的将有12条I/V曲线。 电压的范围。在创建IBIS模型时，对于I/V曲线的数据取值范围是如何确定的呢？我们知道器件的输出管脚的信号电压值在0－V之间摆动。同时传输线在传输信号时，由于传输线的阻抗可能不匹配，所以会出现信号的反射现象。我们考虑极端的情况：对于一个短路的传输线的最大的负反射发生时，理论上在传输线上看到的电压为－V；同时如果对于一个开路的传输线的最大的正反射发生时，理论上在传输线上看到的电压值为2*V。所以我们将电压的范围确定为－V到2*V。然而值得注意的是，如果一个器件的工作环境比较特殊下，那么该器件的输出可能超出该范围，所以I/V列表的数据限制还需要进一步扩展。例如我们考虑一个3.3V的I/O Buffer在一个多电源的系统中工作（3.3V/5V）。该器件的输出端可以在0到3.3V之间摆动，如果该输出端连接了一个工作电源为5V的器件，那么可能出现驱动端的输出电压超出3.3V。在这种情况下。我们需要将该器件的IBIS模型的电压范围由原来的－3.3V到6.6V扩展现在的－5V到10V。 深入IBIS模型里 IBIS模型里记录器件Pin脚的排列信息和输入输出的特性，基本的构成如下： 1. 驱动端模型（输出模型） Rate：上升、下降的特性 Pull down I-V curve：在输出为逻辑低电平时，半导体的V/I特性曲线 Pull up I-V curve ：在输出为逻辑高电平时，半导体的V/I特性曲线 I-V curve：[Power clamp]clamp和[GND clamp]clamp二极管特性曲线 半导体芯片电容C_comp 封装的RLC 特性 2. 接收器模型（输入模型） I-V curb：[Power clamp]clamp和[GND clamp]clamp二极管特性 半导体芯片的电容C_comp 封装的LCR特性 典型值、最小值和最大值.这些是由工作环境的温度、电源电压以及工艺制程的变化来决定的。使用各种数据的最小值和最大值，就可以表现出模型的最差和最好情况。例如，要得到一个快速的模型，可以使用最高值的电流、最快的ramp数据以及最小的封装寄生参数：而要得到慢速的模型则正好相反。在有的模型中，并不提供最小值和最大值，只是用N/A来表示，如上面举的Power Clamp的例子。而典型值在模型中是必须要提供的。 慢模式（驱动能力最弱，边缘变换最慢）、典型的模式和快模式（驱动能力最强，边缘变换最快）。这些工作的模式一般是以下几种情况所决定： 硅片的工作环境，如器件的功率和周围环境的温度 硅片的操作的限制 同步输出开关的数量 模型对不对还需要看版本号。因为模型是需要修正的。这个一定要注意。 工程化的高速PCB 信号完整性与电磁兼容性仿真工具，操 作简便，易于掌握 ? 支持所有PCB 环境下的设计 文件 ? 支持PCB前仿真/后仿真分析 ? 支持PCB叠层结构、 物理参数 的提取与设定 ? 支持各种传输线的阻抗规划与 计算 ? 支持反射、串扰、损耗、过孔 效应及电磁兼容性分析 ? 通过匹配向导为高速网络提供 串行、并行及差分匹配等方案 ? 支持多板分析，可对板间传输 的信号进行反射、串扰及损耗 分析 ? 提供DDR/DDRII/USB/SATA/ PCIX 等多种Desig