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IBIS模型浅析 2006-04-11 目录 IBIS模型中各曲线的生成 IBIS模型的仿真原理 IBIS模型的缺点 IBIS模型中的各个曲线 Pull up Pull down Power clamp Ground clamp 上升/下降沿 Ramp V/T waveform IBIS模型等效电路 VCC_1 VCC_2 MOS_u diode_u input(A)input(A) output(B)output(B) input(A)input(A) output(B)output(B) MOS_d diode_d GND_1 GND_2 Pull up 曲线 在input(A)处加输入信号，使得output(B)为高 电平 MOS_u处于导通状态，MOS_d处于关断状态 在VCC_1与output(B)之间加直流电压源 记录该电压源的电流，生成电压电流的对应数 值列表，即为Pull up 曲线。 Pull down 曲线 在input(A)处加输入信号，使得output(B)为低 电平 MOS_u处于关断状态，MOS_d处于导通状态 在GND_1与output(B)之间加直流电压源 记录该电压源的电流，生成电压电流的对应数 值列表，即为Pull down曲线。 Power Clamp和Ground Clamp 曲线 使得output buffer为高阻状态 在VCC_2与output(B)之间加直流电压源，记 录该电压源的电流，生成Power Clamp，即高 电平保护二极管的伏安特性。 在GND_2与output(B)之间加直流电压源，记 录该电压源的电流，生成Ground Clamp，即 低电平保护二极管的伏安特性。 上升/下降沿 Ramp 分别设置上升沿和下降沿的输出波形斜率 V/T 曲线(golden waveform) 该项非必选项 在给定的负载条件下，输出信号上升沿和下降沿随 时间变化的波形。 IBIS模型的仿真原理 利用ramp或VT 曲线求解Ku(t)和Kd(t) 利用Ku(t)和Kd(t)求解实际的仿真波形Vout和 Iout 特别注意：Vout和VT 曲线没有直接关系 求解Ku(t)和Kd(t) VCC VCC MOS_u diode_u output(B)output(B) output(B)output(B) 外部电路 input(A)input(A) input(A)input(A) Iout 封装 MOS_d diode_d C_comp GND GND GND 当IBIS模型在A点收到一个激励时，它开始一个上升沿或下降沿。此