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第二章 光电检测器件工作原理及特性 2.1 光电检测器件的物理基础 1、光电导效应 2、杂质光电导效应 3、光生伏特效应 4、光热效应 2.2 光电检测器件的特性参数 光电效应：物质受光照射后，材料电学性质发生了变化（发射电子、电导率的改变、产生感生电动势）现象。 包括： 外光电效应：产生电子发射 内光电效应：内部电子能量状态发生变化 2.1光电检测器件的物理基础 ----光电效应和光热效应 光电导效应、光生伏特效应和光热效应 2.1.1 光电导效应 光电导效应：光照射的物质电导率发生改变，光照变化引起材料电导率变化。是光电导器件工作的基础。 物理本质：光照到半导体材料时，晶格原子或杂质原子的束缚态电子吸收光子能量并被激发为传导态自由电子，引起材料载流子浓度增加，因而导致材料电导率增大。 (属于内光电效应。) 包括：本征和非本征两种，对应本征和杂质半导体材料。 1、本征光电导效应 本征光电导效应：是指本征半导体材料发生光电导效应。 即：光子能量hv大于材料禁带宽度Eg的入射光，才能激光出电子空穴对，使材料产生光电导效应。 针对本征半导体材料,即：hvEg 即存在截止波长：λ0=hc/Eg=1.24/Eg。 基本概念： 1、稳态光电流：稳定均匀光照