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Helios Inline - tn 电池片薄膜测量- SiNx膜厚，折射率系数 Helios Inline - tn 减反射膜的表面钝化（surface passivation）和扩散势垒(diffusion barriera)对晶硅电池片的转换效率和长期稳定性起着很重要的作用，性能好的(a-SiNx:H)薄膜广泛的应用于此。而工艺参数的控制比如气压和温度等，对电池片AR膜膜厚，颜色和光学常数nk 有很大的影响。 一般来说，要花费很多时间和熟练的技巧来获得精确的数据，以此来支持生产工艺的优化。 在线测量 AudioDev提供独一无二的膜厚折射率测量设备， Helios Inline-tn是可以集成到现有的电池生产在线使用！ 通过寻找工艺上的不稳定性的原因，来提高电池的质量和转换效率。比如，镀膜的不均匀性，镀膜机参数漂移，硅片切割工艺和制绒工艺上的不均一性都会影响电池的质量和效率。 测量示例 SiN层AR膜膜厚分布 Helios-Inline-tn 集锦 晶硅测量 膜厚：d 折射率测量：N（光谱） 产品线使用/RD部门使用 -在线/每一片硅片测量 -非破坏式和非接触式 -静态和动态测量 应用在所有相关晶硅电池 – 多晶 单晶 （抛光, 粗糙, 组织化) 应用在所有相关的组织化结构 –等方性和各异性的化学腐蚀 – ＲＩＥ(离子腐蚀) 应用在所有相关的工艺 – PE-Cvd –