最新1.1 半导体基本知识一、本征半导体及导电特性.pptVIP

四、主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压UR 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IR 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。 * hhjkl 二极管状态的判断 1. 二极管加正向电压时导通，二极管正向电阻较小，正向电流较大。（理想与实际） 2. 二极管加反向电压时截止，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3.共阳（阴）极连接情况。 * hhjkl 二极管电路分析举例 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 * hhjkl 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 例： 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – * hhjkl ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例： ui 18V 参考点 D 8V R uo ui + + – – 在这里，二极管起限幅作用。 * hhjkl 例：已知UI 波形，画出UR、UO波形。 UI UO UR UI 0 在这里， D起检波作用。 * hhjkl ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – * hhjkl 二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、 隔离、 开关、元件保护等。 * hhjkl 五、稳压二极管 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 _ + U I O * hhjkl 主要参数 1 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 2 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 3 动态电阻 4 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 5 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 * hhjkl 1.3 晶体管 一、 晶体管结构 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B * hhjkl 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 * hhjkl N N C E B P C E T B IB IE IC B E C P P N E T C B IB IE IC NPN型晶体管； PNP型晶体管 * hhjkl mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 * hhjkl 二、 晶体管的电流放大原理 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化，是CCCS器件。 * hhjkl B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO * hhjkl IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO * hhjkl 三、伏安特性1.输入特性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ?