太阳能电池的设计参考.docVIP

 Solar Cell 基础知识： 不论是一般的化学电池还是太阳能电池,其输出特性一般都是用如下图所示的电流-电压曲线来表 示.由光电池的伏安特性曲线,可以得到描述太阳能电池的四个输出参数. 图 9.1 太阳电池和锰干电池的 IV 曲线 ① 开路电压 Voc R=∞,I=0,即:IL=IF.将 I=0 代入光电池的电流电压方程,得开路电压为: VOC??  ln( L ln( L?? 1) q  I I S  (9.1) ② 短路电流 Isc 如将 pn 结短路（V=0）,因而 IF=0,这时所得的电流为短路电流 Isc.显然,短路电流 等于光生电流,即:Isc=IL. ③ 填充因子 FF 它表示了最大输出功率点所对应的矩形面积在 Voc 和 Isc 所组成的矩形面积中所占的百分比. 特性好的太阳能电池就是能获得较大功率输出的太阳能电池,也就是 Voc,Isc 和 FF 乘积较大的电池. 对于有合适效率的电池,该值应在 0.70-0.85 范围之内. 9-2 其值越大表示太阳能电池的输出功率越大.FF 的值始终小于 l.FF 可由下列经验公式给出: 1 FF??  VOC?? ln（VOC?? 0.72） VOC?? 1  (9.2) 式中 VOC 是归一化的开路电压,即 UOC/(nKT/q).当 VOC15 时,该公式的精度可达 4 位有效数字.实际 上,由于受串联电阻和并联电阻的影响,实际太阳能电池填充因子的值要低于上式所给出的理想 值. ④ 能量转化效率η 它表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能. η=（太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)×100% =（VOPIOP/PinS）×100% =  VOC I SC FF Pin S  (9.3) Example 1: 单晶硅太阳能电池 在本例中,将首先用 ATHENA 模拟的是晶体硅太阳能电池的结构(pn 结),接着用 ATLAS 模拟太阳能 电池的一些基本性质:Voc、Isc、光谱反应及考虑增加增透膜后对光谱反应的影响. 在太阳能电池的模拟实验中,将考虑到外部光源的影响.因此,模拟中将用到 BEAM 语句. 例 1:单色光 beam num=1 wavelength=0.6 x=0.5 y=-2.0 ang=90.0 min=-0.1 max=0.1 \ Min.power=0.05 该语句定义了一传输角度为 90 度、波长为 0.6μm 的单色光,其起始坐标为(0.6,-0.5).当光强降至初 始光功率的 5%时传输终止.(入射光线图如图 10.3) 例 2:多光谱光线 beam num=2 x=0.0 y=-1.0 ang=45.0 power.file=source.spc wavel.start=0.4 \ wavel.end=0.6 wave.num=4 该语句定义一起始于(0.0,-1.0)、入射角度为 45 度的多光谱光线.该光线由光谱文件 soure.spc 引入, 波长范围为 0.4μm 至 0.6μm. 图 9.3 入射光线图 此外,本实验还将用到增透膜(或称减反射膜,anti–reflection coating).INTERFACE 语句可用来 2 定义增透膜及其界面的光学性质.参数 ar.Chick 定义膜厚;ar.Index 定义折射率.绝大数情况下, 单层增透膜厚度等于 1/4 波长(在膜里).对于多层膜,必须通过参数 coating 和 layer 来详细阐述. 如果膜由吸收物质制作而成,还应该引入 ar.Absorb 参数进行考虑. 模拟程序 go athena # 网格定义 line x loc=0.00 spac=1 line x loc=10 spac=1 # line y loc=0.00 spac=0.05 line y loc=0.25 spac=0.02 line y loc=1 spac=0.1 line y loc=50 spac=10 # 衬底定义 init silicon c.boron=1.0e14 orientation=100 # 淀积氧化层 deposit oxide thickness=0.05 div=1 # 离子注入形成 n+层 implant phos dose=1e15 energy=30 # 退火处理 diffuse time=10 temp=900 # 提取结深 extract name=junc_depth xj material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1 # 形成接触 etch oxide right p1.x=8 deposit alum thickness=0.1 div=3 etch a