西安工业大学汇编第5章.pptVIP

第五章　存储器系统 5.1 存储器概述 5.1.1 存储器的分类 5.1.2 主要性能指标 5.1.1 存储器的分类 存储器是计算机系统中用来存放程序和数据的装置，叫存储器（Memory、Storage）。 主要内容： 1 、存储介质: 3、存取方式: 4、存储内容可变性： RAM(续1) (1)双极型RAM 双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒(ns)。 但是，集成度低，功耗大。 ①SRAM（Static RAM）静态 主要特点是，其存取时间为几十到几百ns，不需刷新，易于掉电保护。 比较一下 只读存储器（续1） Read Only Memory分为： Read Only Memory (1)掩模工艺ROM (2)PROM Programmable ROM (3)EPROM Erasable Programmable ROM (4)EEPROM Elactrically- Erasable PROM 5.1.2 主存储器的技术指标 存放一个机器字的存储单元，通常称为字存储单元，相应的单元地址叫字地址。 而存放一个字节的单元，称为字节存储单元，相应的地址称为字节地址。 主存储器的技术指标（续） 1、存储容量： 一个存储器中可以容纳的存储单元总数。 单位： bit 二进制位数。 8 bit= 1 Byte 字节 存储容量（续1） 这里指的是存贮器芯片的存贮容量，其表示方式一般为： 芯片的存贮单元数×每个存贮单元的位数。 存储容量（续2） 存储容量（续3） 它们之间的换算关系为： 2、存取时间 3、存储周期 4、存储器带宽 5.2 　SRAM存储器 5.2.1 SRAM基本单元 5.2.2 SRAM逻辑结构 5.2.3 SRAM芯片 5.2.4 SRAM扩展 5.2.1 SRAM基本单元 SRAM（Static RAM） 静态读写存储器。 1、组成： 组成（续1） 两个稳态： 2、选中 3、写操作：写“1” 写操作（续） 写操作（续）写“0”时 写操作（续） 4、读操作： 读操作（续） I/O和 经过差动放大器放大，可知其为“1”或者“0”。 基本的静态存储元阵列（续） 任何一个SRAM均有三组信号线 5.2.2 SRAM逻辑结构 基本的SRAM逻辑结构（续1） 在较大容量的存储器中，往往把各个字的同一位组织在一个芯片中。 基本的SRAM逻辑结构（续2） 单译码结构： 比如 212= 4096 ∴地址线需 12 根（二进制） 译码器的输出叫字选择线。共有4096根。 所以单译码方式只使用于小容量存储器。 参看P69 图3.2 双译码结构： 有两级译码 基本的SRAM逻辑结构（续3） 读写电路（续） 读写电路（续2） 读与写的互锁逻辑（续） （4） I/O电路： 处于数据总线和被选中的单元之间，用于控制被选中单元的读出或写入。并具有放大信息的作用。 （5）驱动器： 一条X线上要挂上该行上所有存储元。故电容负载很大，为此要加驱动器。 （6）输出驱动电路： 存储器片子要连到数据总线上，有时候将其与DB断开。故要用到三态门缓冲器。 5.2.3 SRAM芯片 1．概述 1) 8K×8bit的CMOSRAM芯片 现以6264(或6164)芯片为例，说明其引线功能。该芯片的引脚图如图5.1所示。 (1) 引线功能 6264(6164)有28条引出线，它们包括： A0～A12为13条地址信号线。 D0～D7为8条双向数据线。 CS2为两条片选信号的引线。 为输出允许信号。 是写允许信号。 2．连接使用 (1) 全地址译码方式 利用CPU的所有地址线来连接存储芯片。每一个存储器单元惟一地对应CPU的一个地址。比如：下图地址空间为： F0000H-----------F1FFFH