Ch3半导体中载流子的统计分布.ppt

半导体中电子的允态（即能级）用波矢k标志，但是电子波矢k不能取任意的数值，而是受到一定条件的限制。 二 实际半导体硅、锗，导带底附近，等能面为 旋转椭球面 EC：极值能量 可计算得 电子的费米分布函数 E-EF》k0T时 常见半导体在室温下的本征载流子浓度： Si: ni=1.5×1010cm-3 Ge: ni=2.4×1013cm-3 GaAs: ni=1.1×107cm-3 Nv? T3/2是一很重要的量，称为价带的有效状态密度，是温度的函数。 　可理解为把价带中所有量子态都集中在导带底Ev， Ev处的状态密度为Nv，则价带中的空穴浓度是Nv中有空穴占据的量子态数。 空穴占据能量为Ev的量子态的概率 n0 、p0 与温度T有关，与EF有关。 T的影响来自两方面 ： Nc、Nv正比于T3/2 指数部分随温度迅速变化。 EF, T 确定，就可以计算导带电子浓度和价带空穴浓度 n0 、p0 与温度T有关，与EF有关。 可由n0p0 得到很有意思的结果。 所以 重要结论：电子和空穴的浓度乘积和费米能级无关。 半导体材料定，乘积n0p0只决定于温度T，与所含杂质无关。 给定温度T，半导体材料不同，禁带宽度Eg不同，乘积n0p0也将不同。 普遍适用本征半导体和杂质半导体（热平衡状态、非简并）。 上式可看出，半导体材料定，则Eg一定。温度定，乘积n0p0定。 半导体处于热平衡状态时，载流子浓度的乘积保持恒定，如果电子浓度增大，空穴浓度就要减小；反之亦然。 3.3 本征半导体的载流子浓度 －热激发所产生的载流子 －没有杂质和缺陷的半导体 T= 0 K，价带全满，导带全空 T≠0 K，热激发，电子从价带激发到导带（本征激发） EC EV Eg 本征激发，电子和空穴成对产生，n0=p0 本征激发下的电中性条件 由上式可求得本征半导体的费米能级EF （本征用符号Ei表示）。 上述三种半导体材料的1n（ mp*/mn* ）在2以下。 EF约在禁带中线附近1.5k0T范围内。 在室温（300K）下，k0T≈0.026eV，而硅、锗、砷化镓的禁带宽度约为1eV左右，因上式（3-30）中第二项小得多，所以本征半导体的费米能级Ei基本上在禁带中线处。 锑化铟室温时禁带宽度Eg≈0.17eV，而 mp*/mn* 之值约为32左右，于是它的费米能级Ei已经远在禁带之上。 本征载流子浓度ni为 式中Eg=Ec-Ev为禁带宽度。 讨论： 一定的半导体材料，本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加（指数增长）； 不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度ni就越小。 说明: 在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。 注意：不仅适用于本征半导体材料，而且也适用于非简并的杂质半导体材料。 12学时 n0p0=ni2 （质量作用定律） 意义： 系统处于热平衡状态，不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级 处于热平衡状态的系统有统一的化学势！ 处于热平衡状态的电子系统有统一费米能级！ 费米分布函数f（E）特性分析： 当T=0K时： 若EEF，则f(E)=1， 若EEF，则f(E)=0。 热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率是100%，因而这些量子态上都是有电子的； 能量比EF大量子态上都没有电子，是空的。 ∴在热力学温度零度时，费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。 当T0K时： 若EEF，则f(E)1/2 若 E=EF，则f(E)=1/2 若EEF，则f(E)1/2。 系统热力学温度 0时，如量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的概率50%； 量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的概率50%。 量子态的能量等于费米能级时，则该量子态被电子占据的概率是50%。 标志----费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的 费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况. 费米能级标志了电子填充能级的水平 对一系统而言, EF位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 EF 的意义： 图给出的300K、1000K，1500K时f(E)与E的曲线，从图中看出，随着温度的升高，电子占据