氮化硅薄膜性质.pptxVIP

培训内容：;氮化硅薄膜 是一种物理、化学性能十分优良的介质膜,具有高的致密性、高的介电常数、良好的绝缘性能和优异的抗Na+能力等,因此广泛应用于集成电路的最后保护膜、耐磨抗蚀涂层、表面钝化、层间绝缘、介质电容。等离子增强化学气相沉积(简称PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)具有沉积温度低( 400 ℃) 、沉积膜针孔密度小、均匀性好、台阶覆盖性好等优点。; 为了提高生成膜的质量,需要对衬底加温。这样可使成膜在到达衬底后具有一定的表面迁移能力,在位能最低的位置结合到衬底上去,使所形成薄膜内应力较小,结构致密,具有良好的钝化性能。衬底温度一般在250～350 ℃,这样能保证薄膜既在HF中有足够低的刻蚀速率和较低的本征应力,又具有良好的热稳定性和抗裂能力。衬底温度低于200 ℃沉积生成的薄膜本征应力大且为张应力,不容易沉积;而高于400 ℃时氮化硅薄膜生长不均匀,容易龟裂。;折射率是薄膜结构和致密性的综合反映,等离子体中的反应相当复杂,生成膜的性质受多种因素的影响,因此,折射率是检验成膜质量的一个重要指标。 温度对沉积速率的影响较小,但对氮化硅薄膜的物化性质影响很大;温度升高时,薄膜的密度和折射率直线上升,在缓冲HF中的腐蚀速率呈指数式下降,同时会提高衬底表面原子的活性和迁移率,使衬底表面反应增强,过剩的硅原子减少,膜的含H量降低, Si/N比下降,改进了化学组分。 温度对氮化硅薄膜性质的影响。由表1可知:温度在300～500 ℃,每变化20 ℃,薄膜的沉积速率变化小于1%;温度低于300 ℃,氮化硅膜的特性发生了显著变化;高于450 ℃,在显微镜下观察,发现氮化硅膜的龟裂区域出现。 表1 温度对氮化硅薄膜性质的影响 温度/℃ 沉积速率/( nm·min - 1 ) 折射率 缓冲HF刻蚀速率/ ( nm·min - 1 ) 25 2. 0 0. 50 410. 0 100 3. 5 0. 63 400. 0 200 5. 8 0. 83 320. 0 250 8. 7 1. 00 104. 0 300 10. 8 1. 79 30. 0 350 11. 0 1. 85 20. 0 380 11. 2 1. 95 10. 0 400 11. 2 1. 96 10. 0 450 11. 5 1. 96 9. 8;;射频功率对氮化硅薄膜的影响;从键能角度看,Si - H键的键能小于N - H键的键能,使N -H键破裂比Si - H键破裂需要更多的能量,当SiH4浓度足够高时,随着射频功率的增加,使得更多的N - H键破裂,为反应气体提供了充分的氮的自由基,硅氮反应充分,因而沉积速率直线上升。但是当SiH4浓度过低、气体总流量太小时,因激活率达到饱和,在较高功率下会出现沉积速率饱和的现象,这时沉积速率几乎不受RF功率的影响。;气体流量比对生长氮化硅薄膜的影响;脉冲开关时间比例选择不恰当，也只能长出一些有干涉条纹的薄膜。其原因是：脉冲为高电平时产生气体辉光放电，形成了等离子体，脉冲为低电平时辉光放电停止，此时为薄膜生长阶段，激活的反应物分发生反应，在衬底表面迁徙成核而生长，附产物从衬底片上解吸，随主气流由真空