传感器原理及应用技术电子教案第4章磁敏传感器.ppt

第4章 磁敏传感器 4.1 磁敏传感器的物理基础——霍尔、磁阻、形状效应 4.1.1 基础知识 在了解和学习磁敏传感器之前,先让我们回顾以下磁现象及其有关公式。 磁现象和电现象不同,它的特点之一是磁荷（Magnetic Charge）不能单独存在,必须是N、S成对存在（而电荷则不然,正电荷和负电荷可以单独存在）,并且在闭区间表面全部磁束（磁力线）的进出总和必等于零,即div B=0。 磁感应强度、电场强度、力三者的关系可由公式表示为 该式表示运动电荷e从电场E受到的力和磁场（磁感应强度B）存在时电流ev(v为电荷速度)所受到的力,其中第二项称为洛伦兹力。与这个洛伦兹力相抗衡而产生的相反方向的电动势就是后面我们将要介绍的霍尔电压。 电感L、电流I与它们产生的磁束Φ之间的关系可表示为 Φ=LI 当磁束有变化时, 在与其相交的电路中将产生的电动势为 4.1.2 霍尔效应 有一如图4.1所示的半导体薄片,若在它的两端通以控制电流I,在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在薄片的另两侧面会产生与I和B的乘积成比例的电动势UH（霍尔电势或称霍尔电压）。这种现象就称为霍尔效应。 4.1.3 磁阻效应 将一载流导体置于外磁场中,除了产生霍尔效应外,其电阻也会随磁场而变化。