数字电子技术基础第五版阎石第03章门电路1.pptxVIP

3.1 概述;集成电路Integrated Circuits(IC) ：;CMOS集成电路： 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;获得高、低电平的基本原理;正逻辑和负逻辑;3.2 分立元件门电路;一、半导体二极管的开关特性;反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开;VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 开关闭合;二极管的动态电流波形：;二、三极管的开关特性;双极型三极管的基本开关电路;开启时间ton ;3.2.2 二极管与门;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点:;上次课内容回顾;3.3 TTL门电路;3.3.1 TTL 反相器;T1的发射结导通VB1=VIL+VoN=0.9v T2 、T5截止 T4导通;② A输入高电平时;需要说明的几个问题;3.2.2 TTL非门的外部特性及主要参数1. 电压传输特性和相应参数;(1) 输出高电平VOH：AB段所对应的输出电平，一般大于等于3V； (2) 输出低电平VOL：DE段对应的输出电平，一般小于0.4V。;(3) 开门电平UON 一般要求UON≤1.8V (4) 关门电平UOFF 一般要求UOFF≥0.8V;2. 输入端噪声容限 反应抗干扰能力的物理量;3. 输入特性;4. 输出特性;（2）输出为低电平时的输出特性;5.输入端负载特性